[發明專利]圖像傳感器

有效

• 申請號: 201810988385.5
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN108777772B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 戚德奎;石文杰
• 申請（專利權）人: 思特威（上海）電子科技股份有限公司
• 主分類號: H04N25/70
• 分類號: H04N25/70;H01L27/146
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種圖像傳感器，具有形成在半導體基底上的多個排成行和列的像素單元，每個所述像素單元包括：

一個或多個光電二極管，用于在曝光過程中將包含圖像信息的光信號經光電效應轉換為電子；

一個或多個傳輸晶體管，分別連接所述的一個或多個光電二極管，用于將所述電子轉移到浮動擴散區域；

復位晶體管，連接在第一電壓源和所述浮動擴散區域之間，根據復位控制信號對所述浮動擴散區域進行復位；

源極跟隨晶體管，其柵極連接到所述浮動擴散區域，對所述浮動擴散區域的電信號放大輸出；

其中，所述源極跟隨晶體管柵極的一端覆蓋所述浮動擴散區域的一部分，形成重疊區域，所述源極跟隨晶體管的柵極和所述浮動擴散區域共享一連接點，形成電連接。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述多個光電二極管和所述多個傳輸晶體管構成共享結構，連接并共享所述浮動擴散區域。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述多個光電二極管和所述多個傳輸晶體管分別為兩個，每個光電二極管分別連接到各自的傳輸晶體管。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包括一雙轉換增益控制單元，所述雙轉換增益控制單元包括雙轉換增益控制晶體管及電容。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述電容為器件電容或寄生電容。

6.根據權利要求1或4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包括一防溢出晶體管，連接到所述一個或多個光電二極管。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源極跟隨晶體管的漏極連接到所述復位晶體管的漏極，連接至第一電壓源。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源極跟隨晶體管的漏極連接到第二電壓源，所述第二電壓源為固定電壓源。

9.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一電壓源為可變電壓源。

10.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包括一行選擇輸出晶體管。

11.根據權利要求1或4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器包括一全局曝光單元，所述全局曝光單元連接到所述源極跟隨晶體管的源極輸出端，所述全局曝光單元包括信號存儲單元和全局曝光輸出單元。

12.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述信號存儲單元包括第一控制晶體管和第一電容，及第二控制晶體管和第二電容。

13.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述全局曝光輸出單元包括一放大晶體管，連接到所述信號存儲單元。

14.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器為FSI圖像傳感器或BSI圖像傳感器。