[發(fā)明專利]監(jiān)測(cè)裝置和包括該裝置的半導(dǎo)體制造裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810987117.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109755153A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁裕信;柳成潤(rùn);李衒;樸圭煥;李相吉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社;高麗大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波;翟然

提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的裝置。用于制造半導(dǎo)體器件的裝置可以包括：質(zhì)量流量控制器，該質(zhì)量流量控制器被配置為控制供應(yīng)到工藝室的工藝氣體的流率，質(zhì)量流量控制器被配置為響應(yīng)于校正信號(hào)而調(diào)節(jié)離開(kāi)質(zhì)量流量控制器的工藝氣體的流出流率，該校正信號(hào)基于流入質(zhì)量流量控制器的工藝氣體的流入流率與參考流率之間的差而產(chǎn)生；傳感器，配置為測(cè)量工藝室內(nèi)部的室壓力；排氣閥，配置為調(diào)節(jié)從工藝室排出的排出氣體的排氣速度；以及監(jiān)測(cè)裝置，配置為基于校正信號(hào)、室壓力和排氣閥的排氣速度來(lái)檢測(cè)質(zhì)量流量控制器的缺陷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及用于在半導(dǎo)體制造工藝期間檢測(cè)工藝條件的缺陷的監(jiān)測(cè)裝置以及用于制造包括該監(jiān)測(cè)裝置的半導(dǎo)體器件的裝置。

背景技術(shù)

通過(guò)包括諸如薄膜工藝、光刻工藝、蝕刻工藝和/或擴(kuò)散工藝的許多單元工藝的半導(dǎo)體制造工藝來(lái)制造半導(dǎo)體器件。近來(lái)，由于電路線寬等的細(xì)微化，半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的小工藝參數(shù)變化的影響增大，因此在早期檢測(cè)半導(dǎo)體制造工藝的工藝異常的重要性逐漸增加。為了檢測(cè)半導(dǎo)體制造工藝的工藝異常，可以在執(zhí)行單元工藝之后測(cè)試晶片，或者可以通過(guò)使用附接于在其中執(zhí)行半導(dǎo)體工藝的腔室上的各種傳感器來(lái)監(jiān)測(cè)諸如溫度、壓力和/或等離子體密度的一個(gè)或多個(gè)工藝參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種監(jiān)測(cè)裝置以及用于制造半導(dǎo)體器件的裝置，該裝置包括該監(jiān)測(cè)裝置，該監(jiān)測(cè)裝置可以監(jiān)測(cè)供應(yīng)至工藝室的工藝氣體的流率是否異常。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，用于制造半導(dǎo)體器件的裝置可以包括：質(zhì)量流量控制器，配置為控制供應(yīng)到工藝室的工藝氣體的流率，質(zhì)量流量控制器被配置為響應(yīng)于校正信號(hào)而調(diào)節(jié)離開(kāi)質(zhì)量流量控制器的工藝氣體的流出流率，校正信號(hào)基于流入質(zhì)量流量控制器的工藝氣體的流入流率與參考流率之間的差產(chǎn)生；傳感器，配置為測(cè)量工藝室內(nèi)部的室壓力；排氣閥，配置為調(diào)節(jié)從工藝室排出的排出氣體的排氣速度；以及監(jiān)測(cè)裝置，配置為基于校正信號(hào)、室壓力和排氣閥的排氣速度檢測(cè)質(zhì)量流量控制器的缺陷。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，用于制造半導(dǎo)體器件的裝置可以包括：工藝室，提供用于處理襯底的工藝空間；質(zhì)量流量控制器，配置為控制供應(yīng)到工藝室的工藝氣體的流率；傳感器，配置為測(cè)量工藝室的室壓力；排氣閥，配置為調(diào)節(jié)從工藝室排出的排出氣體的排氣速度；以及監(jiān)測(cè)裝置，配置為基于室壓力和排出氣體的排氣速度檢測(cè)供應(yīng)到工藝室的工藝氣體的流率。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，用于檢測(cè)控制供應(yīng)到工藝室的工藝氣體的流率的質(zhì)量流量控制器的缺陷的監(jiān)測(cè)裝置被配置為基于流入到質(zhì)量流量控制器的工藝氣體的流入流率與參考流率之間的差而產(chǎn)生校正信號(hào)，并基于校正信號(hào)、工藝室內(nèi)部的環(huán)境信息、以及從工藝室排出的排出氣體的排氣速度來(lái)檢測(cè)質(zhì)量流量控制器的缺陷。

附圖說(shuō)明

從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，在附圖中：

圖1是根據(jù)示例實(shí)施方式的用于制造半導(dǎo)體器件的裝置的構(gòu)造圖；

圖2是用于制造圖1的半導(dǎo)體器件的裝置的框圖；

圖3是圖2中所示的質(zhì)量流量控制器的詳細(xì)構(gòu)造圖；

圖4是根據(jù)示例實(shí)施方式的排氣閥的透視圖；

圖5是根據(jù)示例實(shí)施方式的用于制造半導(dǎo)體器件的裝置的框圖；

圖6是根據(jù)示例性實(shí)施方式的通過(guò)使用監(jiān)測(cè)質(zhì)量流量控制器的方法來(lái)制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖；以及

圖7、8和9是用于解釋確定質(zhì)量流量控制器的缺陷的原因的方法的視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將通過(guò)參考附圖解釋本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思。附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。