[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810986853.5
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109712938A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 稻葉祐樹;佐藤大樹
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L23/26
• 分類號: H01L23/26;H01L23/492;H01L21/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王穎;金玉蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

導(dǎo)電性板，將半導(dǎo)體元件搭載于該導(dǎo)電性板的正面；以及

封裝樹脂，將所述導(dǎo)電性板的至少正面封入到該封裝樹脂的內(nèi)部，

在所述導(dǎo)電性板的正面，在被封入的所述封裝樹脂的流體合流的區(qū)域設(shè)置有捕獲氣泡的構(gòu)造。

2.如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電性板為矩形的形狀，

所述封裝樹脂從所述導(dǎo)電性板的長邊側(cè)的一個(gè)注入口注入，

所述封裝樹脂的流體合流的區(qū)域是隔著所述半導(dǎo)體元件位于與所述封裝樹脂的注入側(cè)相反的一側(cè)的長邊的角的區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電性板為矩形的形狀，

所述封裝樹脂從所述導(dǎo)電性板的長邊側(cè)的多個(gè)注入口注入，

所述封裝樹脂的流體合流的區(qū)域被設(shè)置于與注入所述封裝樹脂的注入側(cè)相反的一側(cè)的長邊的中央。

4.如權(quán)利要求1所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電性板為矩形的形狀，

所述封裝樹脂從所述導(dǎo)電性板的短邊側(cè)的注入口注入，

所述封裝樹脂的流體合流的區(qū)域被設(shè)置于與所述封裝樹脂的注入側(cè)相反的一側(cè)的短邊的中央。

5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

捕獲所述氣泡的構(gòu)造被設(shè)置為與所述封裝樹脂的流體的矢量的方向垂直。

6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

捕獲所述氣泡的構(gòu)造為槽或孔形狀。

7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置具備層疊基板，所述層疊基板具有在正面搭載了所述半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電性板、絕緣基板和散熱板，

所述封裝樹脂將所述半導(dǎo)體元件、所述導(dǎo)電性板和所述絕緣基板封入到內(nèi)部，并將所述散熱板的背面露出。

8.如權(quán)利要求7所記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在所述導(dǎo)電性板與所述絕緣基板之間具備薄導(dǎo)電板，

在所述薄導(dǎo)電板不設(shè)置捕獲所述氣泡的構(gòu)造。

9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，在導(dǎo)電性板的正面，將捕獲氣泡的構(gòu)造形成于封裝樹脂的流體合流的區(qū)域；

第二工序，將半導(dǎo)體元件搭載于所述導(dǎo)電性板的正面；以及

第三工序，注入所述封裝樹脂，將所述半導(dǎo)體元件和所述導(dǎo)電性板的正面封入到內(nèi)部。