[發明專利]一種K2MnGe3S8非線性光學晶體及制法和用途在審
| 申請號： | 201810986769.3 | 申請日： | 2018-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN109161969A | 公開（公告）日： | 2019-01-08 |
| 發明（設計）人： | 姚吉勇;李壯;郭揚武;羅曉宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46;C30B11/02 |
| 代理公司： | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人： | 陳琳琳;張紅生 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非線性光學晶體 制法 機械性能 高溫熔體自發結晶法 非線性光學器件 非線性光學效應 坩堝下降法生長 大尺寸晶體 激光損傷 生長 波段 可用 加工 制作 | ||
1.一種K2MnGe3S8非線性光學晶體，該K2MnGe3S8非線性光學晶體不具備對稱中心，屬單斜晶系，空間群為P21，其晶胞參數為：α＝γ＝90°，β＝96.13°，Z＝8。
2.一種權利要求1所述K2MnGe3S8非線性光學晶體的制備方法，所述制備方法為高溫熔體自發結晶法生長K2MnGe3S8非線性光學晶體，其步驟為：
將K源材料、Mn源材料、Ge源材料和S單質按照摩爾比K:Mn:Ge:S＝2：1：3：8的比例混合加熱至熔化得高溫熔液并保持48-96小時后，以1-10℃/小時的降溫速率降溫至室溫，得到K2MnGe3S8晶體；
所述K源材料為K或K2S或K2S3；
所述Mn源材料為Mn或MnS；
所述Ge源材料為Ge或GeS或GeS2。
3.一種權利要求1所述K2MnGe3S8非線性光學晶體的制備方法，所述制備方法為坩堝下降法生長K2MnGe3S8非線性光學晶體，其步驟如下：
將K源材料、Mn源材料、Ge源材料和單質S按照摩爾比K:Mn:Ge:S＝2：1：3：8的比例放入晶體生長裝置中，緩慢升溫至原料熔化，待原料完全熔化后，晶體生長裝置以0.1-10mm/h的速度垂直下降，在晶體生長裝置下降過程中進行K2MnGe3S8非線性光學晶體生長，其生長周期為5-20天；
所述K源材料為K或K2S或K2S3；
所述Mn源材料為Mn或MnS；
所述Ge源材料為Ge或GeS或GeS2。
4.一種權利要求1所述的K2MnGe3S8非線性光學晶體的用途，其特征在于，該K2MnGe3S8非線性光學晶體用于制備非線性光學器件，所制備的非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊該K2MnGe3S8非線性光學晶體后產生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。
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