[發明專利]有機膜形成用組合物、半導體裝置制造用基板、有機膜的形成方法、圖案形成方法及聚合物

有效

• 申請號: 201810985279.1
• 申請日: 2018-08-28
• 公開（公告）號: CN109426076B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 郡大佑;荻原勤;渡邊武;新井田惠介;澤村昂志
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/00;G03F7/09;H01L21/027
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種有機膜形成用組合物，其為用于形成有機膜的組合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重復單元的聚合物及(B)有機溶劑，

式中，AR1、AR2、AR3為可具有取代基的苯環或萘環，AR1與AR2、或AR2與AR3的芳香環上的碳原子之間可直接或經由連接基團鍵合而形成交聯結構；R¹、R²各自獨立地是氫原子或碳原子數為1～30個的有機基團，R¹與R²為有機基團時，R¹與R²可通過在分子內鍵合而形成環狀有機基團；Y為下述式(2)所示的基團，

式中，R³是單鍵或碳原子數為1～20個的二價有機基團，R⁴是氫原子或碳原子數為1～20個的一價有機基團，虛線表示結合鍵。

2.根據權利要求1所述的有機膜形成用組合物，其特征在于，所述(A)成分的重均分子量為500～20,000。

3.根據權利要求1所述的有機膜形成用組合物，其特征在于，所述有機膜形成用組合物進一步含有(C)產酸劑、(D)表面活性劑、(E)交聯劑及(F)增塑劑中的一種以上。

4.根據權利要求2所述的有機膜形成用組合物，其特征在于，所述有機膜形成用組合物進一步含有(C)產酸劑、(D)表面活性劑、(E)交聯劑、及(F)增塑劑中的一種以上。

5.一種半導體裝置制造用基板，其特征在于，在基板上形成有由權利要求1～4中任一項所述的有機膜形成用組合物固化而成的有機膜。

6.一種有機膜的形成方法，其為適用于半導體裝置的制造工序的有機膜的形成方法，其特征在于，將權利要求1所述的有機膜形成用組合物旋轉涂布于被加工體上，在不活性氣體氣氛下，以50℃以上、600℃以下的溫度，在5秒～7200秒的范圍內，對該涂布有有機膜形成用組合物的被加工體進行熱處理而得到固化膜。

7.一種有機膜的形成方法，其為適用于半導體裝置的制造工序的有機膜的形成方法，其特征在于，將權利要求1所述的有機膜形成用組合物旋轉涂布于被加工體上，在空氣中，以50℃以上、300℃以下的溫度，在5秒～600秒的范圍內，對該涂布有有機膜形成用組合物的被加工體進行熱處理而形成涂布膜，然后，在不活性氣體氣氛下，以200℃以上、600℃以下的溫度，在10秒～7200秒的范圍內，對該形成有涂布膜的被加工體進行熱處理而得到固化膜。

8.根據權利要求6或7所述的有機膜的形成方法，其特征在于，作為所述不活性氣體，使用氧濃度為1％以下的不活性氣體。

9.根據權利要求6或7所述的有機膜的形成方法，其特征在于，作為所述被加工體，使用具有高度為30nm以上的結構體或段差的被加工體。

10.根據權利要求8所述的有機膜的形成方法，其特征在于，作為所述被加工體，使用具有高度為30nm以上的結構體或段差的被加工體。

11.一種圖案形成方法，其特征在于，使用權利要求1所述的有機膜形成用組合物在被加工體上形成有機膜，使用含硅抗蝕劑中間膜材料在該有機膜上形成含硅抗蝕劑中間膜，使用由光致抗蝕劑組合物構成的抗蝕劑上層膜材料在該含硅抗蝕劑中間膜上形成抗蝕劑上層膜，在該抗蝕劑上層膜上形成電路圖案，將該形成有電路圖案的抗蝕劑上層膜作為掩模，通過蝕刻將圖案轉印至所述含硅抗蝕劑中間膜上，將該轉印有圖案的含硅抗蝕劑中間膜作為掩模，通過蝕刻將圖案轉印至所述有機膜上，進一步，將該轉印有圖案的有機膜作為掩模，通過蝕刻將圖案轉印至所述被加工體上。