[發明專利]一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法在審
| 申請號： | 201810985176.5 | 申請日： | 2018-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN109095497A | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 曹寶寶;張凡 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都信博專利代理有限責任公司 51200 | 代理人： | 王沙沙 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超晶格 制備 納米顆粒 混合溶液 超聲 脫泡 納米顆粒結構 混合溶液中 前驅體溶液 分散性好 后退火 前驅體 穩定劑 原子比 溶劑 烘干 陳化 鋅鹽 銦鹽 鎵鹽 | ||
1.一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：將銦鹽、鎵鹽和鋅鹽按照原子比為In：Ga：Zn＝5:5:4的比例溶于溶劑中；
步驟2：在步驟1形成的混合溶液中加入穩定劑，攪拌均勻后，陳化形成In-Ga-Zn-O前驅體；
步驟3：制備適量濃度的ZnO納米顆粒溶液，依次經過超聲、粉碎和脫泡得到均勻分散的ZnO納米顆粒溶液；
步驟4：在步驟3得到的ZnO納米顆粒溶液加入步驟2得到的In-Ga-Zn-O前驅體溶液，分別經超聲、粉碎、脫泡得到混合溶液；
步驟5：步驟4得到的混合溶液烘干后退火得到所需IGZO超晶格納米顆粒。
2.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟1中的銦鹽為硝酸銦，鎵鹽為硝酸鎵，鋅鹽為乙酸鋅。
3.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟2中的穩定劑為0.3mol/L的乙醇胺。
4.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟2中在水浴加熱磁力攪拌器中攪拌，水浴溫度為60～70℃，攪拌60～70min，轉速為400～600rpm；形成透明均勻凝膠后，在室溫條件下陳化24小時，形成In-Ga-Zn-O前驅體。
5.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟3中超聲時間為10～15min，粉碎采用超聲細胞粉碎機，在功率為50～65％條件下粉碎10～15min；采用脫泡機脫泡10～15min。
6.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟3中ZnO納米顆粒溶液采用乙二醇甲醚作為溶劑；步驟4中的In-Ga-Zn-O前驅體溶液與ZnO納米顆粒溶液中的溶劑體積比為1:1。
7.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟4中的超聲時間為10～15min，粉碎采用超聲細胞粉碎機，在功率為50～65％條件下粉碎10～15min；采用脫泡機脫泡10～15min。
8.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟5中的烘干溫度為180～200℃，烘干時間為30～45min。
9.根據權利要求1所述的一種IGZO超晶格納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟5中的退火溫度為900℃，退火時間為30min。
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