[發(fā)明專利]半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810982674.4
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN109427941B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設計）人: 成演準;崔洛俊
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州立琻半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 蘇州錦尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 32502
• 代理人: 滕錦林

本發(fā)明公開了一種半導體器件，包括：半導體結(jié)構(gòu)，包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及插入在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層；第一絕緣層，設置在半導體結(jié)構(gòu)上；第一電極，通過第一絕緣層的第一孔設置在第一導電半導體層上；第二電極，通過第一絕緣層的第二孔設置在第二導電半導體層上；第一蓋電極，設置在第一電極上；第二蓋電極，設置在第二電極上，其中第二蓋電極包括多個焊盤，連接部分用于連接多個焊盤，連接部分的寬度在相鄰焊盤之間的中心位置最小，第二蓋電極和第一蓋電極之間的面積比在1：1.1至1：1.5的范圍內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導體器件。

背景技術(shù)

由于包括諸如GaN和AlGaN的化合物的半導體器件具有許多優(yōu)點，因為能帶隙寬且易于調(diào)節(jié)，所以半導體器件可以不同地用于發(fā)光器件、光接收器件、各種二極管等。

特別是，由于開發(fā)了薄膜生長技術(shù)和器件材料，使用III-V或II-VI化合物半導體材料的發(fā)光器件如發(fā)光二極管和激光二極管可表現(xiàn)出各種顏色，如紅色、綠色和藍色，并可以發(fā)射紫外光。使用熒光粉或混合顏色時可發(fā)出高效白光，當與傳統(tǒng)光源(例如，熒光燈管和白熾燈)相比時，具有低功耗、半永久壽命、快速響應時間、安全性和環(huán)保等優(yōu)點。

另外，當使用III-V或II-VI化合物半導體材料制造諸如光電探測器或太陽能電池的光接收裝置時，由于所開發(fā)的裝置材料，光接收裝置吸收各種波長范圍的光以產(chǎn)生電流，可以使用從伽馬射線范圍到射頻范圍的各種波長的光。另外，由于光接收裝置具有響應時間快、安全、環(huán)保、易于調(diào)整裝置材料等優(yōu)點，因此可以容易地用于功率控制、微波電路或通信模塊。

因此，半導體器件的應用擴展到光通信的接收模塊、替代形成液晶顯示器(LCD)器件的背光的冷陰極熒光燈(CCFL)的LED背光、替代熒光燈管和白熾燈的白色LED照明裝置、車頭燈、交通信號燈和配置用于檢測燃氣或火災的傳感器。另外，半導體器件的應用可以擴展到高頻應用電路、其他電源控制設備和通信模塊。

特別地，發(fā)射紫外波長帶光的發(fā)光器件可以進行固化或殺菌作用，并且可以用于固化、醫(yī)療目的和消毒。

最近，對紫外發(fā)光器件的研究已經(jīng)積極地進行，但是存在的問題是紫外發(fā)光器件難以形成為倒裝芯片。

發(fā)明內(nèi)容

本公開旨在提供倒裝芯片型紫外發(fā)光器件。

本公開還旨在提供一種具有改進的操作電壓的半導體器件。

本公開還旨在提供具有改進的光輸出的半導體器件。

實施例要解決的目的不限于上述目的，并且將包括可以通過下面描述的目標和實施例的解決方案來識別的目標和有效性。

根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：半導體結(jié)構(gòu)，包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及插入在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的有源層；第一絕緣層，設置在半導體結(jié)構(gòu)上；第一電極，通過第一絕緣層的第一孔設置在第一導電半導體層上；第二電極，通過第一絕緣層的第二孔設置在第二導電半導體層上；第一蓋電極，設置在第一電極上；第二蓋電極，設置在第二電極上，其中第二蓋電極包括多個焊盤；以及連接部分，被配置為連接多個焊盤，連接部分的寬度在相鄰焊盤之間的中心位置最小，第二蓋電極和第一蓋電極之間的面積比在1：1.1至1：1.5的范圍內(nèi)。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更加明顯，其中：

圖1是示出根據(jù)本公開的一個實施例的半導體器件的截面圖；

圖2是示出圖1的區(qū)域A的放大圖；

圖3a是示出根據(jù)本公開的一個實施例的半導體器件的平面圖；