[發(fā)明專利]曝光裝置、曝光方法、半導體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810982415.1 | 申請日: | 2018-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN110244517A | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳勇輝;張俊 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底 盤子單元 測量單元 吸附 曝光單元 傳輸單元 曝光裝置 曝光 半導體器件 同步傳輸 測量 閑置 傳輸 可拆卸的 測量基 曝光光 產(chǎn)能 制造 協(xié)調(diào) | ||
1.一種曝光裝置,其特征在于,包括:測量單元、曝光單元和中轉傳輸單元;
所述測量單元用于放置基底,并測量所述基底的位置;所述測量單元包括可拆卸的載盤子單元,所述載盤子單元用于吸附所述基底;
所述中轉傳輸單元用于固定和傳輸所述載盤子單元,或載有所述基底的所述載盤子單元;
所述中轉傳輸單元用于在所述曝光單元閑置時將測量后的所述基底以及吸附所述基底的所述載盤子單元同步傳輸至所述曝光單元,以及用于在所述測量單元閑置時將未吸附所述基底的所述載盤子單元傳輸至所述測量單元;
所述曝光單元用于對測量后的所述基底進行曝光。
2.根據(jù)權利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,所述中轉傳輸單元包括中轉子單元和傳輸子單元;
所述中轉子單元用于放置測量后的基底以及吸附所述基底的所述載盤子單元;
所述傳輸子單元用于在所述中轉子單元閑置時將測量后的所述基底以及吸附所述基底的所述載盤子單元從測量單元同步傳輸至中轉子單元,用于在所述曝光單元閑置時將放置于所述中轉子單元的所述基底以及吸附基底的所述載盤子單元同步傳輸至所述曝光單元,用于將曝光后的所述基底下片,以及用于將未吸附所述基底的所述載盤子單元傳輸至閑置的所述測量單元。
3.根據(jù)權利要求2所述的曝光裝置,其特征在于,所述載盤子單元包括第一真空接口和第二真空接口,所述測量單元包括第三真空接口,所述中轉子單元包括第四真空接口,所述傳輸子單元包括第六真空接口,所述曝光單元包括第五真空接口;
所述第一真空接口用于與所述測量單元的第三真空接口、所述中轉子單元的第四真空接口或所述曝光單元的第五真空接口連接,所述第二真空接口用于與所述傳輸子單元的第六真空接口連接。
4.根據(jù)權利要求2所述的曝光裝置,其特征在于,所述中轉子單元包括至少兩個中轉位置;
每個所述中轉位置用于放置一個所述載盤子單元以及被所述載盤子單元吸附的所述基底,或者一個所述載盤子單元,或者一個所述基底。
5.根據(jù)權利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,所述中轉傳輸單元包括至少兩個傳輸子單元;
閑置的所述傳輸子單元還用于固定所述載盤子單元以及被所述載盤子單元吸附的所述基底并等候,在所述曝光單元閑置時,將等候的所述載盤子單元以及被所述載盤子單元吸附的所述基底傳輸至所述曝光單元。
6.根據(jù)權利要求5所述的曝光裝置,其特征在于,所述載盤子單元包括第一真空接口和第二真空接口,所述測量單元包括第三真空接口,所述傳輸子單元包括第七真空接口,所述曝光單元包括第五真空接口;
所述第一真空接口用于與所述測量單元的第三真空接口或所述曝光單元的第五真空接口連接,所述第二真空接口用于與所述傳輸子單元的第七真空接口連接。
7.根據(jù)權利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,所述載盤子單元包括基準板和吸盤;
所述測量單元以所述基準板為基準,將所述載盤子單元與所述基底對準;
所述基底真空吸附于所述吸盤一側。
8.根據(jù)權利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,所述載盤子單元包括吸盤,所述測量單元包括基準板;
所述測量單元以所述基準板為基準,將所述載盤子單元與所述基底對準;
所述基底真空吸附于所述吸盤一側。
9.根據(jù)權利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,還包括沿光線傳播方向依次排列的光源單元、光學傳輸系統(tǒng)、圖案形成單元和投影系統(tǒng);
所述光源單元用于發(fā)出光線,所述光線經(jīng)所述光學傳輸系統(tǒng)、所述圖案形成單元和所述投影系統(tǒng)照射到所述基底表面,對所述基底進行曝光。
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