[發明專利]一種冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐及精煉工藝

有效

• 申請號: 201810981154.1
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN108866277B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 成國光;代衛星;黃宇;劉揚;張國磊;朱梅婷;于春梅;張鑒
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: C21C7/068
• 分類號: C21C7/068;C21C7/10;C21C7/00
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐，其特征在于：包括鋼包(5)、單嘴真空系統及升降氧槍系統(12)，單嘴真空系統位于鋼包(5)上方，單嘴真空系統包括浸漬管(6)、下部真空室(7)、上部真空室(11)、真空加料管(10)和防噴濺遮擋體(8)，升降氧槍系統(12)伸入單嘴真空系統中；防噴濺遮擋體(8)位于上部真空室(11)和下部真空室(7)之間，上部真空室(11)和下部真空室(7)之間采用密封法蘭(9)進行緊固連接；鋼包(5)下部設有底吹透氣磚(1)，底吹透氣磚(1)產生的氣泡柱(2)通過浸漬管(6)進入下部真空室(7)內。

2.根據權利要求1所述的冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐，其特征在于：所述升降氧槍系統(12)中的氧槍為拉瓦爾氧槍，能夠產生超音速氧氣射流(13)，并且在使用過程中能夠垂直升降，用于吹煉過程槍位的調整。

3.根據權利要求1所述的冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐，其特征在于：所述防噴濺遮擋體(8)外形呈圓蓋狀，防噴濺遮擋體(8)中心部分設有通氣孔(14)，防噴濺遮擋體上部端面(15)為平面結構，防噴濺遮擋體下部端面(16)為圓形穹頂結構，防噴濺遮擋體(8)整體中心薄邊部厚，防噴濺遮擋體邊部支撐部位(17)厚度d₁滿足d₁＝(0.15～0.25)×D₃，其中，D₃為防噴濺遮擋體(8)外徑，防噴濺遮擋體(8)中心最薄部位厚度d₂滿足d₂＝(0.3～1.0)×d₁。

4.根據權利要求3所述的冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐，其特征在于：所述通氣孔(14)的有效通氣面積A₁與下部真空室內腔截面積A₂比值滿足A₁/A₂＝0.35～0.65。

5.根據權利要求1所述的冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐，其特征在于：所述浸漬管(6)內徑D₁滿足D₁＝(0.35～0.45)×D₀，其中，D₀為鋼包(5)底部內徑；浸漬管(6)內壁耐材高度h₀滿足h₀＝1.3m～1.6m，浸漬管(6)壁厚δ滿足δ＝0.20m～0.35m，浸漬管(6)外壁耐材高度h₃滿足h₃＝0.90m～1.2m；下部真空室(7)內徑D₂滿足D₂＝(1.3～1.8)×D₁；下部真空室(7)內壁耐材高度h₄滿足h₄＝(2.0～3.0)×h₀；底吹透氣磚(1)中心與浸漬管(6)中心距離R滿足R＝(0.35～0.55)×(D₁/2)。

6.根據權利要求1所述的冶煉超低碳不銹鋼的單嘴精煉爐，其特征在于：安裝時，先將防噴濺遮擋體(8)嵌入下部真空室(7)的頂部，然后將防噴濺遮擋體(8)及下部真空室(7)形成的整體與上部真空室(11)進行對位連接。