[發明專利]一種半導體結構制造方法

有效

• 申請號: 201810980356.4
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN110867384B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 張玉貴;方建智;彭康鈞;李建財
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種半導體結構制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底上形成一過渡層，所述過渡層的厚度為20?至40?；

形成一金屬層于所述過渡層上，所述金屬層的厚度為50?至60?；

形成一捕獲層于所述金屬層上，以形成一半導體堆疊結構，所述捕獲層的厚度大于所述過渡層的厚度和所述金屬層的厚度，所述捕獲層包括摻雜氮原子的金屬鈦，所述氮原子占捕獲層中原子數量比例為0至10％，所述捕獲層的厚度為200?至300?；

對所述半導體堆疊結構進行第一退火；

在進行第一退火步驟后，提供第一清洗液對所述半導體堆疊結構進行清洗；以及

在進行清洗步驟后，對所述半導體堆疊結構進行第二退火，以形成半導體結構。

2.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于：所述基底為硅。

3.根據權利要求2所述的半導體結構制造方法，其特征在于：在形成所述過渡層之前，提供第二清洗液，對所述基底表面的原生氧化層進行清洗。

4.根據權利要求2所述的半導體結構制造方法，其特征在于：堆疊二氧化硅于所述基底上并形成所述過渡層。

5.根據權利要求4所述的半導體結構制造方法，其特征在于：所述金屬層為鈷。

6.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于：所述第一退火的溫度為380度至510度。

7.根據權利要求1所述的半導體結構制造方法，其特征在于：所述第二退火的溫度為680度至890度。

8.根據權利要求5所述的半導體結構制造方法，其特征在于：在所述第一退火的過程中，所述基底提供硅離子，所述過渡層中的所述二氧化硅分解并提供硅離子和氧離子，所述金屬層提供鈷離子，所述捕獲層提供鈦離子，其中，所述氧離子朝向靠近所述捕獲層的方向擴散，所述鈦離子朝向靠近所述過渡層的方向擴散，所述鈦離子以及所述捕獲層捕獲所述氧離子并形成鈦氧化合物，所述鈷離子與所述硅離子結合形成硅化亞鈷層。

9.根據權利要求8所述的半導體結構制造方法，其特征在于：在所述第二退火過程中，所述硅化亞鈷層形成為硅化鈷層。