[發(fā)明專利]列選電路以及包含該列選電路的EEPROM電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810980297.0
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN109243514B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐蘭
• 申請（專利權(quán)）人: 四川中微芯成科技有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/26
• 代理公司: 成都坤倫厚樸專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51247
• 代理人: 劉坤

1.一種列選電路，其特征在于：包括RC濾波單元和預(yù)充電單元，所述的RC濾波單元以及預(yù)充電單元均由MOS管構(gòu)成；RC濾波單元設(shè)置在列選電路的輸出端用于濾除電源線上的干擾；預(yù)充電單元接收vpul信號，vpul信號跟隨列地址的切換而變化，預(yù)充電單元的輸出端連接高壓管M9的柵極用于在列地址切換時(shí)迅速打開高壓管M9；

包括第一反相器、第二反相器、第三反相器以及MOS管M1~M8，第一反相器的輸入端構(gòu)成列選電路的輸入端，第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端以及NMOS管M4的柵極相連，第二反相器的輸出單連接NMOS管M3的柵極，NMOS管M3的漏極、PMOS管M1的漏極以及PMOS管M2的柵極三者相連，PMOS管M1的柵極、PMOS管M2的漏極以及NMOS管M4的漏極均連接第三反相器的輸入端，第三反相器的輸出端連接PMOS管M5的柵極和NMOS管M6的柵極，PMOS管M5的漏極、NMOS管M6的漏極、PMOS管M7的漏極以及NMOS管M8的柵極均與高壓管M9的柵極相連，PMOS管M7的柵極連接vpul信號，PMOS管M1、M2、M5、M7的源極均連接電源VDD，NMOS管M3、M4、M6、M8的源極以及NMOS管M8的漏極均接地；

PMOS管M5為倒比管構(gòu)成電阻，NMOS管M8構(gòu)成電容，PMOS管M5和NMOS管M8即構(gòu)成所述的RC濾波單元；PMOS管M7即構(gòu)成所述的預(yù)充電單元。

2.一種包括權(quán)利要求1所述列選電路的EEPROM電路，其特征在于：包括存儲電路、電平轉(zhuǎn)換電路、行選電路、列選電路以及SENSER電路，電平轉(zhuǎn)換電路通過高壓傳輸管連接存儲電路的控制柵，行選電路連接存儲電路的選通柵，列選電路連接高壓管M9的柵極，高壓管M9的源極連接存儲電路的位線，高壓管M9的漏極連接SENSER電路，存儲電路的源線連接NMOS且該NMOS控制源線接地或懸空。