[發明專利]一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源

有效

• 申請號: 201810978437.0
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN108710401B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 白濤;李秋利;簡云飛;張猛嬌
• 申請（專利權）人: 北方電子研究院安徽有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 耿英;董建林

1.一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，包括：正溫度系數電流產生電路、零溫度系數電壓緩沖電路和帶隙電壓基準源輸出級；

正溫度系數電流產生電路產生與絕對溫度成正比的電流I_PTAT ；

零溫度系數電壓緩沖電路對正溫度系數電流產生電路的電流驅動能力進行促進并輸出電壓V₇；

帶隙電壓基準源輸出級包括共柵差分放大結構、連接在MOS管M23柵極的推挽結構；共柵差分放大結構檢測MOS管M23漏極輸出電壓即作為帶隙電壓基準源輸出級的輸出電壓V_out相對零溫度系數電壓緩沖電路的輸出電壓V₇的變化電壓差ΔV，并把電壓差ΔV放大，被放大的電壓差ΔV傳遞到MOS管M23的柵端，反向抑制MOS管M23的漏端電壓即帶隙電壓基準源輸出級的輸出電壓V_out的變化。

2.根據權利要求1所述的一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，正溫度系數電流產生電路包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7和PNP管Q1、Q2及電阻R1和R2。

3.根據權利要求2所述的一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，MOS管M1的柵極、MOS管M2的柵極及漏極與MOS管M4的漏極共接；MOS管M1的漏極、MOS管M3的漏極、MOS管M5的柵極與MOS管M6的柵極共接；MOS管M3的柵極、MOS管M4的柵極、MOS管M7的柵極及漏極與MOS管M5的漏極共接；MOS管M6的漏極經電阻R2與MOS管M4的源極、PNP管Q2的發射極共接于電流鏡節點4；MOS管M3的源極、MOS管M7的源極、共接為電流鏡節點3后經電阻R1與PNP管Q1的發射極共接；PNP管Q1、Q2的集電極、基極共接至地；MOS管M1的源極、M2的源極、M5的源極、M6的源極共接至電源VDD。

4.根據權利要求1所述的一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，零溫度系數高穩定電壓緩沖電路包括MOS管M8、M9、M10、電阻R3、電容C1及PNP管Q3。

5.根據權利要求4所述的一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，MOS管M8的柵極與正溫度系數電流產生電路中的MOS管M2的柵極連接；MOS管M9的柵極與正溫度系數電流產生電路中的MOS管M5的漏極連接；MOS管M8的漏極、MOS管M9的漏極、MOS管M10的柵極共連，并經電容C1連接至MOS管M10的漏極，MOS管M10的漏極同時經電阻R3連接至MOS管M9的源極、PNP管Q3的發射極；PNP管Q3的基極和集電極共接至地；MOS管M8的源極、M9的源極共接至電源VDD；MOS管M10的漏極電壓即為零溫度系數高穩定電壓緩沖電路輸出電壓V₇。

6.根據權利要求1所述的一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，帶隙電壓基準源包括MOS管M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21、M22和M23；其中，MOS管M11、M12、M13、M14、M15和M16構成共柵差分放大結構；MOS管M18和M22構成推挽結構。

7.根據權利要求6所述的一種高精度大驅動電流的帶隙基準電壓源，其特征是，MOS管M12的源極、MOS管M14的源極共接至零溫度系數高穩定電壓緩沖電路中MOS管M10的漏極，MOS管M12的柵極、MOS管M11的柵極與漏極、MOS管M15的漏極共接；MOS管M14的柵極與漏極、MOS管M13的柵極、MOS管M16的漏極共接；MOS管M15的柵極、M16的柵極均與外部偏置電壓VB連接；MOS管M15的源極、M16的源極均接地；MOS管M12的漏極、MOS管M17的漏極與柵極、MOS管M18的柵極共接；MOS管M13的漏極、MOS管M19的漏極與柵極、MOS管M20的柵極共接；MOS管M17的源極、M18的源極、M19的源極、M20的源極共接于地；MOS管M11的源極、MOS管M13的源極、MOS管M23的漏極共接作為帶隙電壓基準源的輸出電壓V_out；MOS管M23的柵極、MOS管M22的漏極、MOS管M18的漏極共接；MOS管M22的柵極、MOS管M21的柵極與漏極、MOS管M20的漏極共接；MOS管M21的源極、M22的源極、M23的源極共連至電源VDD。