[發明專利]一種基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻

有效

• 申請號: 201810978419.2
• 申請日: 2018-08-27
• 公開（公告）號: CN109166690B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 唐曉莉;陳敏;杜偉;蘇樺
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01F10/14
• 分類號: H01F10/14;H01F41/18;H01L43/08
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 吳姍霖

1.一種基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻，其特征在于，所述磁電阻包括基片，以及依次形成于基片之上的緩沖層薄膜、第一反鐵磁層/[鐵磁層/第二反鐵磁層]n的多層薄膜和覆蓋層薄膜；單層鐵磁層的厚度100nm，n×單層鐵磁層的總厚度為100～300nm；其中，n≥2，n的具體數值根據所需要的探測磁場范圍進行調節，在n×單層鐵磁層的總厚度不變的情況下，n越大，探測磁場的范圍越大，n越小，探測磁場范圍越小；所述各向異性磁電阻實現了大于20Gs磁場范圍的探測。

2.根據權利要求1所述的基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻，其特征在于，所述緩沖層薄膜為Ta或Cu。

3.根據權利要求1所述的基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻，其特征在于，所述第一反鐵磁層和第二反鐵磁層的材料為FeMn、NiMn、IrMn或PtMn，厚度為5～20nm。

4.根據權利要求1所述的基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻，其特征在于，所述鐵磁層的材料為Ni、Fe、Co或Ni/Fe/Co的合金。

5.根據權利要求1所述的基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻，其特征在于，所述覆蓋層薄膜為Ta、SiO₂或Al₂O₃。

6.一種如權利要求1所述基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻的制備方法，包括以下步驟：

步驟1、采用薄膜濺射工藝在基片上沉積緩沖層薄膜；

步驟2、采用薄膜濺射工藝并在外磁場H的作用下，在步驟1處理后的基片上依次沉積第一反鐵磁層/[鐵磁層/第二反鐵磁層]n形成的多層薄膜、覆蓋層薄膜，其中，n≥2。

7.根據權利要求6所述的基于多層交換偏置結構的各向異性磁電阻的制備方法，其特征在于，步驟2所述外磁場H方向沿磁電阻薄膜膜面長軸方向，大小為50Gs～300Gs。