[發(fā)明專(zhuān)利]一種窄脈沖峰值采樣保持電路

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810977930.0
• 申請(qǐng)日: 2018-08-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108809278A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白濤;劉小淮;陳遠(yuǎn)金
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北方電子研究院安徽有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K5/1532
• 分類(lèi)號(hào): H03K5/1532
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 耿英;董建林

1.一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，窄脈沖IN由高精度峰檢測(cè)模塊探測(cè)，并經(jīng)高精度峰檢測(cè)模塊控制的第一開(kāi)關(guān)K1輸入至A點(diǎn)，A點(diǎn)經(jīng)第一電容接地，同時(shí)A點(diǎn)信號(hào)經(jīng)總運(yùn)放OP后輸出電壓 OUT作為最終輸出的采樣保持電壓；

當(dāng)高精度峰檢測(cè)模塊探測(cè)到窄脈沖IN的峰值電壓后，控制第一開(kāi)關(guān)K1斷開(kāi)，使峰值電壓在A點(diǎn)得以保持。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，A點(diǎn)信號(hào)輸入至總運(yùn)放OP的同相輸入端，運(yùn)放OP的反相輸入端經(jīng)第一電阻R1接地，運(yùn)放OP輸出端經(jīng)第二電阻R2反饋至運(yùn)放OP的反相輸入端；

總運(yùn)放OP、第一電阻R1和第二電阻R2對(duì)A點(diǎn)電壓進(jìn)行補(bǔ)償；總運(yùn)放OP輸出端的輸出電壓OUT作為最終輸出的采樣保持電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，高精度峰值檢測(cè)模塊包括第一運(yùn)放OP1、第二運(yùn)放OP2、MOS管M0、第二電容C2、第三電容C3、第二開(kāi)關(guān)K2、第三開(kāi)關(guān)K3和第一與非門(mén)nand1、第二與非門(mén)nand2、第一反相器inv2和第一反相器；

第一運(yùn)放OP1的同相輸入端輸入窄脈沖IN，第一運(yùn)放OP1的反相輸入端連接至A點(diǎn)，第一運(yùn)放OP1的輸出端經(jīng)第二運(yùn)放OP2連接至B點(diǎn)，B點(diǎn)和第一與非門(mén)nand1的其中一個(gè)輸入端連接，B點(diǎn)同時(shí)經(jīng)第二開(kāi)關(guān)K2、第二電容C2反饋至第二運(yùn)放OP2輸入端，B點(diǎn)同時(shí)經(jīng)第三開(kāi)關(guān)K3與MOS管M0的柵極連接；MOS管M0的柵極同時(shí)經(jīng)第三電容C3接地；MOS管M0的源極接地，MOS管M0的漏極連接至第一運(yùn)放OP1的負(fù)電源端；第一與非門(mén)nand1的另一個(gè)輸入端用于接受控制信號(hào)；

控制信號(hào)通過(guò)控制第二與非門(mén)nand2、第一反相器inv2和第一反相器分別輸出對(duì)應(yīng)的信號(hào)對(duì)應(yīng)控制第一開(kāi)關(guān)K1、第二開(kāi)關(guān)K2和第三開(kāi)關(guān)K3的開(kāi)合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，第一與非門(mén)nand1的輸出端連接至第二與非門(mén)nand2的其中一個(gè)輸入端，第二與非門(mén)nand2的另一個(gè)輸入端輸入控制信號(hào)，第二與非門(mén)nand2的輸出端輸出信號(hào)控制第一開(kāi)關(guān)K1的開(kāi)合。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，控制信號(hào)輸入至第一反相器inv2的輸入端，第一反相器inv2的輸出端輸出信號(hào)控制第二開(kāi)關(guān)K2的開(kāi)合。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，控制信號(hào)輸入至第二反相器inv3的輸入端，第二反相器inv3的輸出端輸出信號(hào)控制第三開(kāi)關(guān)K3的開(kāi)合。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，當(dāng)控制信號(hào)BM =0時(shí)，采保電路處于準(zhǔn)備狀態(tài)，第一開(kāi)關(guān)K1、第二開(kāi)關(guān)K2和第三開(kāi)關(guān)K3均閉合；第一運(yùn)放OP1、第二運(yùn)放OP2、第二電容C2、第二電容C3和MOS管M0構(gòu)成帶局部閉環(huán)反饋的開(kāi)環(huán)比較器，使B點(diǎn)電壓VB等于MOS管M0的閾值電壓VTH。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或7所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，當(dāng)控制信號(hào)BM=1、窄脈沖IN未到來(lái)前，第二開(kāi)關(guān)K2、第三開(kāi)關(guān)K3斷開(kāi)；A和B點(diǎn)作為高阻抗節(jié)點(diǎn)，其對(duì)應(yīng)的電壓仍保持開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的電壓值，即VA=VIN，VB=VTH，其中，VA為A點(diǎn)電壓值，VB為B點(diǎn)電壓值，VIN為窄脈沖IN電壓，VTH為MOS管M0的閾值電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種窄脈沖峰值采樣保持電路，其特征是，當(dāng)控制信號(hào)BM =1、窄脈沖IN上升沿到來(lái)后，VIN>VA，B點(diǎn)電壓VB由VTH開(kāi)始升高，第一開(kāi)關(guān)K1狀態(tài)由0變?yōu)?，第一開(kāi)關(guān)K1閉合；當(dāng)VA＝VIN時(shí)，VB由高變低，第一開(kāi)關(guān)K1狀態(tài)由1變?yōu)?，第一開(kāi)關(guān) K1斷開(kāi)，直到VIN>VA；此過(guò)程如此反復(fù)，直到捕獲到窄脈沖IN的峰值電壓，第一開(kāi)關(guān)K1保持?jǐn)嚅_(kāi)，使峰值電壓在A點(diǎn)得到保持。