[發明專利]電子設備、OLED顯示屏及其制作方法有效
| 申請號: | 201810975329.8 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN109166887B | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 袁學劍 | 申請(專利權)人: | OPPO(重慶)智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 401120 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 oled 顯示屏 及其 制作方法 | ||
本申請公開了一種電子設備、OLED顯示屏及其制作方法。該OLED顯示屏包括OLED組件和紅外阻塞膜,OLED組件具有第一透光區和第一非透光區,及紅外阻塞膜具有與第一透光區對應的第二透光區和與第一非透光區對應的第二非透光區,紅外阻塞膜層疊設置于OLED組件的背光側,第二透光區與第一透光區對應重合,第二非透光區與第一非透光區對應重合。通過于OLED組件的背光側對應設置紅外阻塞膜,本申請有利于該OLED顯示屏在電子設備上實現全面屏的顯示效果。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種電子設備、OLED顯示屏及其制作方法。
背景技術
全面屏是手機業界對于超高屏占比手機設計的一個比較寬泛的定義。從字面上解釋就是手機的正面全部都是屏幕,手機的四個邊框位置都是采用無邊框設計,追求接近100%的屏占比。全面屏手機首先提升了手機的顏值,讓手機看上去更有科技感,另外同樣機身正面的面積可以容納更大的屏幕,對于視覺體驗有著顯著的提升。而當下手機屏幕多采用OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示屏,如何采用OLED顯示屏實現全面屏的顯示效果是一大難點。
目前全面屏的紅外傳感方案為將屏幕某位置挖空或做成透明,挖空或透明位置下面放置紅外傳感器,紅外傳感器透過挖空或透明區域發射和接收紅外光,從而實現傳感功能。若采用在屏幕上挖空的方案,則屏幕上的挖空區域無法實現顯示功能。若采用將屏幕上的某區域做成透明,透明區域不能顯示或者難以實現與屏幕其它區域一致的顯示效果,因此制約了全面屏的屏幕表現力。
發明內容
為解決上述技術問題,本申請采用的一個技術方案是:提供一種OLED顯示屏。該OLED顯示屏包括OLED組件和紅外阻塞膜,OLED組件具有第一透光區和第一非透光區,及紅外阻塞膜具有與第一透光區對應的第二透光區和與第一非透光區對應的第二非透光區,紅外阻塞膜層疊設置于OLED組件的背光側,使得第二透光區與第一透光區對應重合,及第二非透光區與第一非透光區對應重合。
為解決上述技術問題,本申請采用的另一個技術方案是:提供一種電子設備。該電子設備包括如上述的OLED顯示屏及貼設于OLED顯示屏下的紅外傳感器。
為解決上述技術問題,本申請采用的另一個技術方案是:提供一種OLED顯示屏的制作方法。該方法包括:提供一OLED組件,OLED組件具有第一透光區和第一非透光區;于OLED組件的一側形成一紅外阻塞膜,紅外阻塞膜具有與第一透光區對應重合的第二透光區和與第一非透光區對應重合的第二非透光區。
本申請的有益效果是:本申請通過于OLED組件的發光側相反的背光側上設置紅外阻塞膜,且紅外阻塞膜上的第二透光區與OLED組件的第一透光區對應重合,及紅外阻塞膜上的第二非透光區與OLED組件的第一非透光區對應重合,進而在該OLED顯示屏背光側設置紅外傳感器時,紅外光能夠從對應重合的第二透光區、第一透光區向外界發射,而第二非透光區對第一非透光區形成遮擋,第二非透光區能夠吸收和/或反射照射向第一非透光區的紅外線,避免OLED組件中位于第一非透光區的電子元件受紅外線照射引起的顯示效果不佳及材料老化導致顯示殘影的問題,而且OLED顯示屏上對應設有紅外傳感器件的區域能夠正常顯示,有利于其在電子設備上實現全面屏的顯示效果。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖,其中:
圖1是本申請實施例提供的OLED顯示屏的第一種結構示意圖;
圖2是圖1所示OLED顯示屏中OLED組件的俯視結構示意圖;
圖3是圖1所示OLED顯示屏中紅外阻塞膜的俯視結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





