[發(fā)明專利]一種釔鈰稀土拋光粉及其制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810973244.6 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN109111854A | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 雷美美;李成榮;王保國;姜霽濤;史俊龍;牛娟娟;蔣春虎;柴進忠;馬相琴;金玉培 | 申請(專利權(quán))人: | 甘肅稀土新材料股份有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100 | 代理人: | 馬英 |
| 地址: | 730922*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光粉 稀土拋光粉 質(zhì)量比 鈰稀土 稀土鹽溶液 顆粒形貌 使用壽命 制備工藝 分級 煅燒 制備 稀土 洗滌 過濾 破碎 合成 | ||
一種釔鈰稀土拋光粉,其成份按稀土質(zhì)量比計,Y2O3/TREO:0.2%?60%;CeO2/TREO:40%?99.8%;F為TREO質(zhì)量比的0?15%。該拋光粉以含釔和鈰的稀土鹽溶液為主要原料,經(jīng)過合成、洗滌、過濾、煅燒、破碎分級等工序獲得,所制備的稀土拋光粉顆粒形貌均勻,松裝比重小,用量小,使用壽命長的稀土拋光粉。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及稀土材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體指一種釔鈰稀土拋光粉及其制備工藝。
背景技術(shù)
隨著世界范圍的電子技術(shù)和玻璃工業(yè)的發(fā)展,對以稀土元素為主的拋光材料的需求量與日俱增,由于稀土拋光材料所具有的特殊的晶體結(jié)構(gòu),它已經(jīng)成為精密拋光領(lǐng)域中不可替代的精細拋光材料,隨著我國稀土資源的逐年大量開發(fā),這一不可再生資源日益減少。
在廢稀土拋光粉回收利用技術(shù)不成熟之時,為減緩現(xiàn)有問題,本專利發(fā)明一種使用量小,壽命長的新型稀土拋光粉,達到拋光質(zhì)量的同時有效減少稀土拋光粉的使用量,并延長其使用壽命,使這一不可再生資源能夠有效使用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種釔鈰稀土拋光粉及其制備工藝,目的就是提供一種使用量少,使用壽命長,同時可以滿足拋光要求的稀土拋光粉。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
一種釔鈰稀土拋光粉,其成份按稀土質(zhì)量比計,Y2O3/TREO:0.2%-60% ;CeO2/TREO:40%-99.8%;F 為TREO質(zhì)量比的0-15%。
一種釔鈰稀土拋光粉的制備工藝,其生產(chǎn)工藝為
a、將稀土的化合物配制為鹽溶液,該稀土鹽溶液中的稀土總量為50 g/L -250g/L;
b、配制含氟沉淀劑,將沉淀劑制備成溶液后,向該沉淀劑中緩慢加入氟化劑,然后經(jīng)攪拌過濾掉沉淀物,取上清液;調(diào)整沉淀劑濃度為稀土鹽溶液中稀土總量的1.0-5.0倍,氟離子質(zhì)量濃度為稀土鹽溶液中稀土總量的0-15%;
c、向反應(yīng)容器內(nèi)加入1m3步驟a中配制的稀土鹽溶液,作為反應(yīng)底液;將反應(yīng)容器內(nèi)溶液升溫至30~90℃;
d、向反應(yīng)容器內(nèi)加入步驟b中配制的含氟沉淀劑,直至體系pH值為6.5-7.0,整個合成過程控制時間為1~2.5h;
e、將沉淀物經(jīng)洗滌過濾,并在300-600℃條件下烘干5-25h;
f、將烘干物在800~1050℃條件下灼燒5~8h;
g、將灼燒產(chǎn)物經(jīng)過破碎分級即得所述釔鈰稀土拋光粉。
本發(fā)明是以含釔和鈰的稀土鹽溶液為主要原料,通過添加稀土元素釔,實現(xiàn)資源的綜合利用,制備出一種顆粒形貌均勻,松裝比重小,使用壽命長的稀土拋光粉。向原料液中加入含氟沉淀劑,通過調(diào)整沉淀劑中氟離子濃度控制產(chǎn)品中的氟含量,在經(jīng)過洗滌、過濾、烘干、煅燒、破碎分級等工序獲得的稀土拋光粉晶粒均勻,懸浮性更好,拋光速度快、光潔度高和循環(huán)使用壽命長。在沉淀劑中加入氟化劑可以保證沉淀過程氟離子分散更加均勻,同時使得制得的拋光粉拋光效率更高,光潔度更高。本發(fā)明在常規(guī)的拋光粉中第一次引入了釔元素,開發(fā)了釔的新用途,該工藝生產(chǎn)簡單,易于規(guī)模化生產(chǎn)。
本發(fā)明使用量少,使用壽命長,同時可以滿足拋光要求的稀土拋光粉。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例5制備的拋光粉粒度分布圖;
從圖1看出本發(fā)明的釔鈰稀土拋光粉粒度分布窄,分布圖只有一個峰,沒有其它雜峰;
圖2為本發(fā)明實施例5制備的拋光粉SEM圖;
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