[發明專利]一種溝壑狀MoO3 有效
| 申請號: | 201810972340.9 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN108950734B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 李繪;褚姝姝;馬謙;李行;方圓;王懿;林紫瓊;張琪;楊萍 | 申請(專利權)人: | 濟南大學 |
| 主分類號: | D01F9/08 | 分類號: | D01F9/08 |
| 代理公司: | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溝壑 moo base sub | ||
本發明提供了一種溝壑狀MoO3材料的合成方法:將鉬鹽、2?甲基咪唑、雙氰胺、PVP依次加入乙醇、DMF和三乙胺的混合溶劑中,攪拌得到紡絲液;采用靜電紡絲制備前驅體纖維;最后將所得前驅體纖維在空氣條件下進行高溫煅燒,得到產品。本發明設計了合理的前驅體紡絲液體系及靜電紡絲參數,所得產物微觀形貌特殊,重復性好,產物純度較高,并且制備工藝簡便,利于實際生產,產物在催化、吸附、氣敏等領域具有較好的應用前景。
技術領域
本發明屬于功能性新材料制備領域,涉及一種MoO3材料的合成方法,具體涉及一種靜電紡絲法制備溝壑狀MoO3的合成方法及其產品。本發明屬于功能性新材料制備領域,涉及一種MoO3材料的合成方法,具體涉及一種靜電紡絲法制備溝壑狀MoO3的合成方法及其產品。
背景技術
三氧化鉬(MoO3)是一種寬帶隙(2.8-3.6 eV)半導體,具有三種不同的晶體結構即熱力學穩定正交相MoO3(α-MoO3)、亞穩態單斜相MoO3(β-MoO3)和六方晶系MoO3(h-MoO3)。由于具有特定的結構各向異性和可變氧化態,α-MoO3在可充電鋰離子電池陰極、場效應晶體管、氣體傳感器、光致變色設備、催化劑等領域具有潛在應用。
由于能夠增強電荷傳輸及催化活性,一維納米結構(例如,納米管、納米線和納米纖維)可用作能量和電子器件中的優異構件。近來,研究者采用各種方法已經合成了不同形貌的MoO3微納米結構,發現它們的物理性質與尺寸和結晶度密切相關。然而,常見的一維MoO3微納米材料的表面結構難以調控,且高成本、復雜的制備方法也阻礙了一維MoO3微納米材料的應用范圍。
靜電紡絲作為一種簡單通用的合成技術,已廣泛應用于生產由各種材料制成的超薄一維結構材料。該技術涉及使用電壓對聚合物溶液液滴的表面充電,從而引起液體射流通過噴絲頭噴射。由于彎曲不穩定性,前驅體纖維被拉伸多次以形成具有微納米尺寸的連續超長纖維。由于MoO3本身特有的生長習性,利用靜電紡絲法制備MoO3超長纖維的例子并不多見。目前,還未發現采用靜電紡絲法制備溝壑狀MoO3材料的報道,技術路線難以把握。
發明內容
針對現有技術中存在的問題,本發明提供一種溝壑狀MoO3材料的靜電紡絲合成方法,過程易于操作、成本便宜。
本發明的另一目的是提供一種上述合成方法獲得的溝壑狀MoO3材料,重復性好、純度高、微觀結構尺寸可控。
為實現上述目的,本發明采用如下技術方案。
一種溝壑狀MoO3材料的合成方法,包括以下步驟:
(1)配置乙醇、DMF(N,N-二甲基甲酰胺)和三乙胺的混合溶劑,將鉬鹽、2-甲基咪唑、雙氰胺、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)依次加入到上述混合溶劑中,攪拌得到紡絲液;
(2)將步驟(1)的紡絲液采用靜電紡絲紡制成前驅體纖維,并將前驅體纖維煅燒,得到溝壑狀MoO3材料。
步驟(1)中,鉬鹽、2-甲基咪唑、雙氰胺和PVP的摩爾比為1:0.1-0.3:0.02-0.04:4.0-6.0,其中PVP的摩爾量按其聚合單體的摩爾量計算。所述PVP的分子量大于100萬。
步驟(1)中,乙醇、三乙胺和DMF的體積比為1:0.5-1.0:3.0-5.0。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于濟南大學,未經濟南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810972340.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





