[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201810972221.3
• 申請日: 2018-08-24
• 公開（公告）號: CN109473438A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 山下朋弘
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/11568;H01L23/538;H01L21/768;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李輝;張昊

1.一種半導體器件，包括：

第一突出單元，作為半導體襯底的一部分，從所述半導體襯底的上表面突出，并且沿著所述半導體襯底的主表面在第一方向上延伸；

第二柵電極，通過第一柵極絕緣膜形成在所述第一突出單元的上表面和側表面之上，并且在與所述第一方向正交的第二方向上延伸；

第二柵電極，通過第二柵極絕緣膜形成在所述第一突出單元的上表面和側表面之上，通過所述第二柵極絕緣膜與所述第一柵電極的第一側表面相鄰，并且在所述第二方向上延伸；

側壁間隔件，形成在所述第一柵電極的、位于與所述第一側表面相對的一側的第二側表面旁邊；

半導體區域，形成在所述側壁間隔件旁邊的所述第一突出單元中；

第一絕緣膜，形成在所述半導體區域之上；

第一層間絕緣膜，形成在所述第一絕緣膜之上；

第二層間絕緣膜，形成在所述第一層間絕緣膜和所述第一柵電極之上；以及

插塞，以到達所述半導體區域的方式形成在所述第二層間絕緣膜、所述第一層間絕緣膜和所述第一絕緣膜中，

其中覆蓋膜形成在所述第一柵電極和所述第二層間絕緣膜之間，

其中所述插塞還被定位在所述覆蓋膜的正上方，并且

其中形成所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜的材料不同于所述第一絕緣膜和所述覆蓋膜的材料。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一柵極絕緣膜沿著所述第一柵電極的底表面和側表面形成，

其中所述第一柵極絕緣膜形成在所述覆蓋膜和所述第二柵極絕緣膜之間，并且

其中形成所述第一柵極絕緣膜的材料不同于所述第一絕緣膜和所述覆蓋膜的材料。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第一柵極絕緣膜和所述第二柵極絕緣膜形成在所述覆蓋膜和所述第二柵電極之間。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中硅化物層形成在所述第二柵電極之上。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第一層間絕緣膜和所述第二層間絕緣膜由氧化硅形成，

其中所述第一絕緣膜和所述覆蓋膜由氮化硅形成，并且

其中所述第一柵極絕緣膜由金屬氧化物形成。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中所述金屬氧化物是包括鉿的氧化物膜、包括鋁的氧化物膜、包括鋯的氧化物膜、或者包括鉭的氧化物膜。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二柵極絕緣膜具有電荷存儲層，

其中所述第一柵電極、所述第一柵極絕緣膜、所述第二柵電極、所述第二柵極絕緣膜和所述半導體區域形成非易失性存儲器。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中彼此相鄰的兩個非易失性存儲器關于所述半導體區域對稱地形成，并且

其中所述插塞被定位在相鄰非易失性存儲器中的每一個非易失性存儲器的所述覆蓋膜的正上方。