[發(fā)明專利]半導(dǎo)體、太陽能電池用印刷摻雜漿料在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810971967.2 | 申請日: | 2018-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN110858614A | 公開(公告)日: | 2020-03-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李平;徐芳榮;池田武史 | 申請(專利權(quán))人: | 東麗先端材料研究開發(fā)(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0304 | 分類號: | H01L31/0304 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200241 上海市閔行*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 太陽能電池 用印 摻雜 漿料 | ||
1.一種用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于,含有:
摻雜劑A、
聚合物B、
有機(jī)硅C、
增稠劑D、和
混合溶劑E;
其中,
所述有機(jī)硅C為含有式1所示結(jié)構(gòu)片段的聚合物:
其中,式1中R1為氫、羥基、烷基或烷氧基中的任意一種;
R2為含雜原子的烷基或氫;
p=0~8,q=0~8,且p+q=1~8。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述R1為氫或羥基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述R2為碳原子數(shù)為1~6且含雜原子的烷基,其中所含雜原子為O、S或N。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述p=0~6,q=0~6,且p+q=1~6。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述式1中結(jié)構(gòu)為環(huán)氧乙烷基、環(huán)氧丙烷基、環(huán)氧丁烷基、環(huán)氧戊烷基、1,3-環(huán)氧丙烷基、1,4-環(huán)氧丁烷基、1,5-環(huán)氧戊烷基或1,6-環(huán)氧己烷基中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述有機(jī)硅C中還含有由式1環(huán)氧基團(tuán)開環(huán)得到的下述式2所示的結(jié)構(gòu)片段:
所述式2結(jié)構(gòu)片段的摩爾含量即開環(huán)率r/(r+m)=0~50%。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述開環(huán)率r/(r+m)=0~30%。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述開環(huán)率r/(r+m)=0~10%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述摻雜劑A為硼或磷化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述摻雜劑A為無機(jī)硼化合物或無機(jī)磷化合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于太陽能和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述摻雜劑A為硼酸或三氧化二硼。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述增稠劑D為水溶性聚合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述增稠劑D選自甲基纖維素、乙基纖維素、丙基纖維素、羥甲基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、羧甲基纖維素、甲基羥乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、甲基羥丙基纖維素、醋酸纖維素、醋酸丁酸纖維素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯、卡波樹脂、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯或聚氨酯中的一種或多種。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于太陽能電池和半導(dǎo)體的可印刷摻雜漿料,其特征在于:所述增稠劑D選自聚氨酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮或聚丙烯酸酯中的一種或多種。
15.一種雜質(zhì)擴(kuò)散層的形成方法,其特征在于其含有如下步驟:
使用權(quán)利要求1~14所述的可印刷摻雜漿料在硅基板的一側(cè)整面印刷,或在硅基板的一側(cè)或兩側(cè)上局部印刷摻雜漿料,干燥得到涂源層;經(jīng)擴(kuò)散使涂源層中的硼擴(kuò)散至基板中形成雜質(zhì)擴(kuò)散層或局部摻雜區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





