[發(fā)明專利]防靜電結(jié)構(gòu)以及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810968912.6
• 申請(qǐng)日: 2018-08-23
• 公開（公告）號(hào): CN109031829B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃舒寧;楊博;徐蕓;楊仁俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純

本申請(qǐng)公開了一種顯示面板的防靜電結(jié)構(gòu)，包括：一形成于陣列基板上的短路環(huán)；多個(gè)靜電防護(hù)器件，每個(gè)所述靜電防護(hù)器件包括由第一導(dǎo)電區(qū)形成的輸入端、由第二導(dǎo)電區(qū)形成的輸出端以及連接在所述輸入端和所述輸出端之間的第一通道和第二通道，所述輸入端接收對(duì)應(yīng)的輸入信號(hào)，所述輸出端與所述短路環(huán)相連，對(duì)應(yīng)的所述輸入信號(hào)通過所述第一通道和/或所述第二通道泄放，其中，所述多個(gè)靜電防護(hù)器件分為多組，每組包括位于所述短路環(huán)的同側(cè)的第一靜電防護(hù)器件和第二靜電防護(hù)器件，所述第一靜電防護(hù)器件的所述第二導(dǎo)電區(qū)與所述第二靜電防護(hù)器件的所述第二導(dǎo)電區(qū)相鄰且相連。可減小防靜電結(jié)構(gòu)的面積，提高顯示面板的空間利用率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及靜電防護(hù)領(lǐng)域，更具體地涉及一種防靜電結(jié)構(gòu)以及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、制造成本相對(duì)較低和無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。

在半導(dǎo)體器件中，靜電釋放(Electro-Static Discharge,ESD)是一種常見的現(xiàn)象，靜電釋放現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致絕緣介質(zhì)的擊穿，從而引起閾值電壓的漂移或者柵電極和源、漏電極之間的短路。陣列基板是TFT-LCD的重要部件之一，在其制造和使用過程中很容易發(fā)生靜電釋放現(xiàn)象。以TFT-LCD陣列基板為例，因?yàn)楸∧ぞw管形成于絕緣襯底玻璃基板上，積累在薄膜晶體管的各個(gè)電極處的靜電電荷很容易積累形成很高的電壓水平。當(dāng)靜電電荷積累到一定的程度以后，用于分離柵電極和源、漏電極的絕緣介質(zhì)薄膜就有可能發(fā)生擊穿，從而導(dǎo)致源電極和柵電極之間的短路。即使絕緣介質(zhì)沒有發(fā)生擊穿，靜電電荷的積累也會(huì)引起柵電極和源電極之間的電壓差異，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓發(fā)生漂移而改變薄膜晶體管的工作特性。

為了防止靜電釋放現(xiàn)象損傷TFT-LCD，可以在基板外圍設(shè)置短路環(huán)，通過靜電防護(hù)器件將積累的靜電電荷分散到每一條柵極線或者數(shù)據(jù)線，使整個(gè)面板保持同一電位，防止面板內(nèi)部發(fā)生擊穿現(xiàn)象。

圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的用于顯示裝置的防靜電結(jié)構(gòu)的電路示意圖。如圖1所示，數(shù)據(jù)線120的一端與源極驅(qū)動(dòng)電路160相連，另一端通過靜電防護(hù)器件170與公共電極線130構(gòu)成短路環(huán)連接；柵極線110的一端與柵極驅(qū)動(dòng)電路150相連，另一端通過靜電防護(hù)器件170與公共電極線130構(gòu)成短路環(huán)連接(圖中未示出)。當(dāng)一個(gè)柵極線110(或者數(shù)據(jù)線120)上發(fā)生靜電釋放現(xiàn)象時(shí)，靜電電荷可以被與柵極線110(或者數(shù)據(jù)線120)連接的靜電防護(hù)器件170分散到公共電極線130構(gòu)成的短路環(huán)中。

圖2示出現(xiàn)有技術(shù)的用于顯示裝置的防靜電結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)示意圖。靜電防護(hù)器件170為ESD(Electro-Static Discharge)結(jié)構(gòu)，所述ESD結(jié)構(gòu)一般包括多個(gè)薄膜晶體管，通過薄膜晶體管的打開將被保護(hù)線路上的靜電轉(zhuǎn)移到疏導(dǎo)線上，防止被保護(hù)線路的靜電擊穿。圖2示出的靜電防護(hù)器件170包括第一晶體管171和第二晶體管172。第一晶體管171的柵極通過第一過孔173與數(shù)據(jù)線120相連，第一晶體管171的源極與數(shù)據(jù)線120直接相連，漏極通過第二過孔174與公共電極線130相連。第二晶體管172的柵極與公共電極線130相連，第二晶體管172的源極與數(shù)據(jù)線120相連，漏極通過第二過孔174與公共電極線130相連。

其中，第一晶體管171和第二晶體管172為開關(guān)管，當(dāng)數(shù)據(jù)線120上的靜電較大時(shí)，施加在第一晶體管171上的閾值電壓較大，第一晶體管171被打開處于開啟狀態(tài)，因此數(shù)據(jù)線120上的靜電通過第一晶體管171和第二過孔174傳輸?shù)焦搽姌O線130上。同時(shí)因?yàn)榈诙w管172的柵極與公共電極線130直接相連，因此第二晶體管172也被打開處于開啟狀態(tài)，數(shù)據(jù)線120上的靜電通過第二晶體管172和第二過孔174傳輸?shù)焦搽姌O線130上。因此數(shù)據(jù)線120上的靜電可以通過第一晶體管171和第二晶體管172雙向傳輸?shù)焦搽姌O線130上，起到靜電保護(hù)的作用。

在現(xiàn)有技術(shù)的靜電放電保護(hù)電路中，靜電防護(hù)器件的ESD結(jié)構(gòu)所占的空間較大，無法滿足窄邊框設(shè)計(jì)的要求。

發(fā)明內(nèi)容