[發(fā)明專利]晶向角度校正方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810966745.1 | 申請日： | 2018-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN109080012A | 公開（公告）日： | 2018-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張帥;雷向陽;張劍鋒;蘇文虎;張利平;惠浩浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 610000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 校正 角度校正 晶向 不平行 匹配 平行 切割 | ||
1.一種晶向角度校正方法，其特征在于，包括：
提供一待校正晶體，其中，該待校正晶體包括相對且平行的第一待校正表面和第二待校正表面；
分別沿不平行于所述第一待校正表面和第二待校正表面的方向?qū)λ龃Ｕw進行兩次切割，以得到包括第一校正表面和第二校正表面的校正后的晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶向角度校正方法，其特征在于，所述分別沿不平行于所述第一待校正表面和第二待校正表面的方向?qū)λ龃Ｕw進行兩次切割，以得到包括第一校正表面和第二校正表面的校正后的晶體的步驟包括：
將所述待校正晶體固定于一固定裝置的表面，其中，所述第一待校正表面為所述待校正晶體遠離所述固定裝置的一面，所述第二待校正表面為所述待校正晶體靠近所述固定裝置的一面；
沿不平行于所述第一待校正表面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第一次切割，以得到第一校正表面；
沿不平行于所述第二待校正表面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第二次切割，以得到第二校正表面，其中，該第二校正表面與所述第一校正表面相對且平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶向角度校正方法，其特征在于，所述沿不平行于所述第一待校正表面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第一次切割，以得到第一校正表面的步驟包括：
將所述固定裝置沿第一方向相對于一參考面轉(zhuǎn)動一角度，以使轉(zhuǎn)動后的第一待校正表面與所述參考面之間的夾角為預(yù)設(shè)角度；
沿平行于所述參考面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第一次切割，以得到第一校正表面，其中，所述第一待校正表面的晶向角度與所述第一校正表面的晶向角度之間的差值為所述預(yù)設(shè)角度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶向角度校正方法，其特征在于，所述將所述固定裝置沿第一方向相對于一參考面轉(zhuǎn)動一角度，以使所述第一待校正表面與所述參考面之間的夾角為預(yù)設(shè)角度的步驟包括：
a，將所述固定裝置沿第一方向相對于一參考面轉(zhuǎn)動一個角度；
b，檢測轉(zhuǎn)動后的第一待校正表面與所述參考面之間的夾角是否達到預(yù)設(shè)角度，若達到所述預(yù)設(shè)角度，則停止轉(zhuǎn)動，若未達到所述預(yù)設(shè)角度，則再次執(zhí)行步驟a；
重復(fù)交替執(zhí)行步驟a和步驟b至少一次，以使轉(zhuǎn)動后的第一待校正表面與所述參考面之間的夾角達到預(yù)設(shè)角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶向角度校正方法，其特征在于，所述檢測轉(zhuǎn)動后的第一待校正表面與所述參考面之間的夾角的步驟包括：
通過測頭對所述第一待校正表面進行掃描，并獲取所述測頭在掃描過程中各個位置與所述第一待校正表面對應(yīng)位置之間的距離信息以及測頭在掃描過程中移動的位移信息，其中，所述參考面平行于所述測頭的移動方向；
根據(jù)獲取的距離信息和位移信息計算得到轉(zhuǎn)動后的第一待校正表面與所述參考面之間的夾角。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶向角度校正方法，其特征在于，所述沿平行于所述參考面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第一次切割，以得到第一校正表面的步驟包括：
確定一切割起始線，其中，該切割起始線為所述第一待校正表面在當(dāng)前位置時靠近所述固定裝置的一邊；
從該切割起始線沿平行于所述參考面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第一次切割，以得到第一校正表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-6任意一項所述的晶向角度校正方法，其特征在于，所述沿不平行于所述第二待校正表面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第二次切割，以得到第二校正表面的步驟包括：
將所述固定裝置沿第二方向轉(zhuǎn)動一角度，其中，所述第二方向與所述第一方向相反，且沿第二方向轉(zhuǎn)動的角度與沿第一方向轉(zhuǎn)動的角度相同；
將所述待校正晶體進行倒置，以使所述第二待校正表面在當(dāng)前狀態(tài)下為所述待校正晶體遠離所述固定裝置的一面；
沿平行于所述參考面的方向?qū)λ龃Ｕw進行第二次切割，以得到第二校正表面，其中，所述第二待校正表面的晶向角度與所述第二校正表面的晶向角度之間的差值為所述預(yù)設(shè)角度。
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