[發明專利]一種報廢光刻掩膜版的回收處理方法

在審

• 申請號: 201810964946.8
• 申請日: 2018-08-23
• 公開（公告）號: CN109031883A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 王峰
• 申請（專利權）人: 蘇州瑞而美光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/68
• 分類號: G03F1/68
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴;丁浩秋

本發明公開了一種報廢光刻掩膜版的回收處理方法，包括：將報廢光刻掩膜版表層的鉻金屬層用酸性腐蝕液腐蝕掉，得到膜版基底；用去離子水沖洗膜版基底表面；對膜版基底的雙面表層進行襯底級的CMP化學拋光；將拋光后檢驗合格的膜版基底做鍍鉻前預清洗，先用酸洗，再用去離子水沖洗，然后用堿洗，再用去離子水沖洗，酸堿清洗重復多次；在膜版基底表面鍍一定厚度的鉻層，制作新的光刻掩膜版。通過對報廢膜版基底的優化處理，從而使報廢的膜版得到再次利用，不僅解決了行業資源的浪費，而且還變相的降低了生產成本?？梢源蟠筇岣吖饪贪娴姆磸屠么螖?，工藝簡單，適合大規模批量生產。

技術領域

本發明屬于半導體微納加工技術領域，具體地涉及一種報廢光刻掩膜版的回收處理方法。

背景技術

在現有的半導體光刻技術領域中，由于掩膜版的反復使用次數非常頻繁，因多次重復使用導致在工藝中引入膜版缺陷，需在完成光刻掩膜版制作后對掩膜版上所有的缺陷通過修復方法和清洗進行修復，掩膜圖形缺陷的修復是制造高品質掩膜版的關鍵步驟，然而，有時對于光刻掩膜版的過修復可能引起掩膜版基底例如石英基底損傷問題的出現。

因此，當達到一定的缺陷率時，不能繼續使用膜版，通常膜版達到一定的使用壽命后，最后就由產線直接作報廢處理的，工藝線由于設計到芯片技術的保密，通用的報廢方式是采用酸洗的方式直接將膜版圖形破壞掉，最后將報廢版無期限的放置倉庫。這種報廢方式對于整個半導體產業而言，造成掩膜版玻璃的大量資源浪費。

發明內容

針對上述現有技術存在的技術問題，本發明目的是：提供了一種報廢光刻掩膜版的回收處理方法，通過對報廢膜版基底的優化處理，從而使報廢的膜版得到再次利用，不僅解決了行業資源的浪費，而且還變相的降低了生產成本。可以大大提高光刻版的反復利用次數，工藝簡單，適合大規模批量生產。

本發明的技術方案是：

一種報廢光刻掩膜版的回收處理方法，包括以下步驟：

S01：將報廢光刻掩膜版表層的鉻金屬層用酸性腐蝕液腐蝕掉，得到膜版基底；

S02：用去離子水沖洗膜版基底表面；

S03：對膜版基底的雙面表層進行襯底級的CMP化學拋光；

S04：將拋光后檢驗合格的膜版基底做鍍鉻前預清洗，先用酸洗，再用去離子水沖洗，然后用堿洗，再用去離子水沖洗，酸堿清洗重復多次；

S05：在膜版基底表面鍍一定厚度的鉻層，制作新的光刻掩膜版。

優選的技術方案中，所述酸性腐蝕液為中強酸中的一種或者多種混合液。

優選的技術方案中，所述酸性腐蝕液為硝酸鈰銨與冰乙酸的混合液。

優選的技術方案中，所述去離子水的電阻率為16-18M。

優選的技術方案中，所述CMP化學拋光的深度為5～10um，拋光清洗后膜版基底的雙面表面粗糙度Ra控制在0.3nm以內，雙表面平面度控制在8um以內，雙表面平面平行度控制在5um以內。

優選的技術方案中，所述步驟S05中將膜版基底放入真空鍍膜機內，所述真空鍍膜機選用濺射臺，用濺射的方法在膜版基底上表面鍍100～200nm厚的鉻層。

優選的技術方案中，所述膜版基底為蘇打玻璃或石英玻璃，厚度控制在2-3mm。

與現有技術相比，本發明的優點是：

通過對報廢膜版基底的優化處理，從而使報廢的膜版得到再次利用，不僅解決了行業資源的浪費，而且還變相的降低了生產成本?？梢源蟠筇岣吖饪贪娴姆磸屠么螖担に嚭唵?，適合大規模批量生產，可廣泛應用于半導體芯片光刻工藝加工領域及其它光學掩膜領域。

附圖說明