[發明專利]一種超級電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201810963513.0
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN110858523B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 張在磊;盧憲茂
• 申請（專利權）人: 北京納米能源與系統研究所
• 主分類號: H01G11/84
• 分類號: H01G11/84;H01G11/86
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種超級電容器的制造方法，包括步驟：

S1，提供高聚物、納米材料、三維多孔結構材料以及固化劑，其中，所述高聚物為聚二甲基硅氧烷或者硅膠；

S2，利用所述納米材料以及三維多孔結構材料制得第一復合材料，其中，制備納米材料的乙醇溶液或水溶液；將包含納米材料的乙醇溶液或水溶液，滴加到三維多孔結構材料，制得所述第一復合材料；

S3，按預設質量比混合所述高聚物與所述固化劑，并分別注入到第一復合材料和三維多孔結構材料中，對注入所述高聚物與所述固化劑的第一復合材料和三維多孔結構材料，均分別進行真空處理、固化處理以及利用發射光譜儀、化學或機械去除表面高聚物；

得到第二復合材料以及第三復合材料；

S4，去除所述第二復合材料以及所述第三復合材料中的所述三維多孔結構材料，得到三維多孔電極以及多孔高聚物隔膜；所述三維多孔電極以及多孔高聚物隔膜采用有機或離子液體電解液；

S5，封裝所述三維多孔電極以及所述多孔高聚物隔膜；

其中，所述三維多孔電極中的納米材料同時作為所述超級電容器的集流體和活性物質。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟S3中，對按預設質量比混合的所述高聚物與所述固化劑，進行真空去除氣泡處理。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括步驟：

制造高聚物基底。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，利用所述高聚物基底封裝所述三維多孔電極以及所述多孔高聚物隔膜。

5.如權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

向封裝后的所述三維多孔電極以及所述多孔高聚物隔膜中注射電解液。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，在注射電解液后，利用所述高聚物和密封膜將注射口密封。

7.如權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述預設質量比為8∶1-16∶1。

8.如權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述納米材料為碳納米管。

9.如權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述三維多孔結構材料為三維金屬、金屬化合物、多孔糖或多孔鹽。

10.如權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括步驟：對所述三維多孔結構材料進行預處理。