[發明專利]具有空穴阻擋層的有機電致發光器件

在審

• 申請號: 201810963511.1
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN110857296A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 李軼文;邢其鋒;吳俊宇;邵爽
• 申請（專利權）人: 固安鼎材科技有限公司
• 主分類號: C07D409/04
• 分類號: C07D409/04;C07D409/14;C07D409/10;C07F7/08;C07D471/04;C07D421/14;C07D405/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京市創世宏景專利商標代理有限責任公司 11493
• 代理人: 崔永華

1.一種有機電致發光器件，包含陰極、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、發光層、和陽極，所述空穴阻擋層包含一種或多種式(I)所示的化合物：

其中，L¹、L²和L³分別獨立地選自單鍵、C₁-C₁₂的亞烷基、C₁-C₈的亞烷氧基、C₆-C₃₀的取代或者未取代的亞芳基、C₅-C₃₀的取代或者未取代的含氮亞雜芳基；

Ar¹、Ar²和Ar³分別獨立地選自C₆-C₃₀的取代或者未取代的芳基、C₅-C₃₀的取代或者未取代的雜芳基，Ar¹可以取代于它連接的苯環的任意取代位點，

當L¹、L²、L³、Ar¹、Ar²、Ar³中的任意一個或幾個具有取代基時，所述取代基獨立地選自鹵素、C₁-C₁₀的烷基或環烷基、烯基、C₁-C₆的烷氧基或硫代烷氧基、C₆-C₃₀的芳基、含有選自N、O、S、Si的雜原子且C₆-C₃₀的芳基；

X選自O、S或Se。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，式(I)所示的化合物的HOMO＞5.6eV，LUMO＜2.9eV，T1能級＞2.5eV。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，所述空穴阻擋層的厚度為0.3nm～20nm，優選為0.5nm～10nm，更優選為5nm～10nm。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，式(I)中，L¹、L²和L³分別獨立地選自單鍵、或者選自可以具有取代基的亞苯基、亞聯苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基中的基團或者這些基團的任意組合，作為上述取代基，選自鹵素、C₁-C₁₀的烷基或環烷基、烯基、C₁-C₆的烷氧基或硫代烷氧基、C₆-C₂₀的芳基、含有選自N、O、S、Si的雜原子且C₆-C₂₀的芳基。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，式(I)中，L¹和L²為單鍵，L³選自單鍵或者以下基團，其中劃過芳香環的虛線表示該芳香環的可成鍵位置可作為連接位點：

6.根據權利要求4所述的有機電致發光器件，式(I)中，L¹和L²為單鍵，L³選自單鍵或者以下基團，其中劃過芳香環的虛線表示該芳香環的可成鍵位置可作為連接位點：

7.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，式(I)中，Ar¹、Ar²和Ar³分別獨立地選自苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、菲咯啉基、二苯并噻咯以及以上基團的任意組合，優選Ar¹選自三聯苯基、萘基、菲基、苯并菲基、吡啶基、嘧啶基、喹啉基、喹喔啉基、異喹啉基、吡嗪基、芴基、螺芴基、二苯并噻咯基、菲咯啉基以及以上基團的任意組合。