[發(fā)明專利]閃存器的擦除方法及閃存器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810963287.6
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109256166A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 梁軻;李躍平;侯春源
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16;G11C16/34
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

本發(fā)明公開了一種閃存器的擦除方法及閃存器。其中，閃存器包括：多個塊，每個所述塊由多個存儲單元組成，所述存儲單元為所述閃存器的最小數據存儲單位；控制器，用于從外部主控制器接收攜帶擦除參數的寫入指令，將所述擦除參數寫入寄存器；以及用于從外部主控制器接收針對目標塊的擦除指令，獲取所述目標塊的擦除參數；基于所述目標塊的擦除參數，確定對應所述目標塊的擦除電壓；以及，基于所確定的所述擦除電壓，對所述目標塊執(zhí)行擦除操作；所述寄存器，用于存儲所述擦除參數。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種閃存器的擦除方法及閃存器。

背景技術

在NAND閃存中，P(Program)/E(Erase)Cycle，稱為擦除周期(次數)，是判斷NAND閃存壽命的關鍵參數。隨著P/E Cycle的增加，浮柵與溝道之間的氧化層被磨損的越來越嚴重，導致浮柵中電子的控制越來越艱難，最終結果就是，NAND的壽命走到了盡頭，所以，減少P/E cycle，是延長NAND壽命的主要方式。

相關技術中，對NAND執(zhí)行擦除操作，往往需要多次調整擦除電壓，產生多個擦除脈沖才能擦除成功，擦除效率低。

發(fā)明內容

為解決現有存在的技術問題，本發(fā)明實施例提供一種閃存器的擦除方法及閃存器，能夠有效的減少無效的擦除脈沖的數量，提高擦除效率。

本發(fā)明實施例的技術方案是這樣實現的：

本發(fā)明實施例提供了一種閃存器，包括：

多個塊，每個所述塊由多個存儲單元組成，所述存儲單元為所述閃存器的最小數據存儲單位；

控制器，用于從外部主控制器接收攜帶擦除參數的寫入指令，將所述擦除參數寫入寄存器；并且用于從所述外部主控制器接收針對目標塊的擦除指令，從所述寄存器獲取所述目標塊的所述擦除參數；

基于所述目標塊的所述擦除參數，確定對應于所述目標塊的擦除電壓；以及

基于所確定的所述擦除電壓，對所述目標塊執(zhí)行擦除操作；以及

所述寄存器，用于存儲所述擦除參數。

上述方案中，所述擦除參數為擦除次數，所述寄存器用于存儲所述目標塊的擦除次數，以及擦除次數與擦除電壓的映射關系；

相應的，所述控制器還用于基于所述目標塊的擦除次數，在所述映射關系中查找對應的擦除電壓，并將其作為所述目標塊的擦除電壓。

上述方案中，所述擦除參數為擦除次數，

所述寄存器用于存儲所述目標塊的擦除次數；

所述控制器還用于確定擦除次數與擦除電壓的對應關系；基于所述目標塊的擦除次數及所述對應關系，確定所述目標塊的擦除電壓。

上述方案中，所述擦除參數為擦除脈沖數，

所述寄存器用于存儲所述目標塊對應的擦除脈沖數；

相應的，所述控制器還用于根據所述目標塊所對應的擦除脈沖數，計算得到所述目標塊的擦除電壓。

上述方案中，所述控制器，還用于接收攜帶擦除脈沖數的寫入指令，將所述目標塊對應的擦除脈沖數寫入所述寄存器；

其中，所述擦除脈沖數為基于所述目標塊的擦除次數、以及參考塊的擦除次數與擦除脈沖數的映射關系表所得到。

上述方案中，所述控制器，還用于確定所述目標塊的初始擦除電壓及用于調整擦除電壓的步長；

根據所述初始擦除電壓、所確定的所述步長及所述擦除脈沖數，計算得到所述目標塊的擦除電壓。

上述方案中，所述擦除參數為擦除脈沖數，