[發明專利]一種漂移階躍恢復二極管在審
| 申請號： | 201810962364.6 | 申請日： | 2018-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN109065636A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發明（設計）人： | 陳萬軍;高吳昊;鄧操;譙彬;左慧玲;夏云;劉超 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/868 | 分類號： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孫一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漂移階躍恢復二極管 超結 基區 載流子 抽取 少數載流子 泵浦 耐壓 功率半導體技術 脈沖放電回路 電壓變化率 超結結構 電壓脈沖 基區結構 均勻摻雜 脈沖放電 時間降低 常規的 改造 開發 | ||
【權利要求書】：
1.一種漂移階躍恢復二極管，其元胞結構包括自下而上依次層疊設置的N型歐姆接觸電極(1)、N型重摻雜陰極區(2)、超結耐壓基區(3)、P型等離子存儲層(4)、P型重摻雜陽極(5)、P型歐姆接觸電極(6)；
所述超結耐壓基區(3)由并列設置的N-柱區(31)與P-柱區(32)構成。
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