[發明專利]一種超薄芯片的封裝結構

在審

• 申請號: 201810961402.6
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN110858574A
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 敖利波;曹俊;江偉;史波
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明公開了一種超薄芯片的封裝結構，用以解決現有技術中存在IGBT芯片會由于底座的熱膨脹系數大而發生翹曲，進而導致器件失效的問題。本發明中的超薄芯片的封裝結構，在引線框架的芯片座上開設預定形狀大小的芯片槽，在芯片槽內裝配熱膨脹系數小于芯片座的第一墊片，所述芯片焊接在第一墊片之上，且第一墊片與芯片之間電連接。如此，由于第一墊片的人膨脹系數小于引線框架，芯片與第一墊片的封裝應力較為匹配，在溫度發生變化時，第一墊片發生的翹曲會小于引線框架的翹曲，進而設置在第一墊片上的芯片的翹曲也會變小，故而由于封裝應力不匹配而導致芯片內部晶胞損傷，的可能性便小，提高器件封裝結構良率及可靠性。

技術領域

本發明涉及無線通信技術領域，特別涉及一種超薄芯片的封裝結構。

背景技術

隨著芯片制造技術的不斷發展，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)芯片厚度不斷減薄，隨即芯片的機械強度也越來越差；傳統封裝結構中芯片通過結合材直接焊接在銅框架上，由于銅材的熱膨脹系數較大，會導致封裝應力不匹配從而使芯片出現翹曲，導致芯片內部晶胞損傷或因為芯片翹曲出現能帶彎曲，最終器件失效。

綜上所述，現有的IGBT芯片會由于底座的熱膨脹系數大而發生翹曲，進而導致器件失效。

發明內容

本發明提供一種超薄芯片的封裝結構，用以解決現有技術中存在IGBT芯片會由于底座的熱膨脹系數大而發生翹曲，進而導致器件失效的問題。

本發明實施例提供一種超薄芯片的封裝結構，該封裝結構包括芯片和用于承載芯片的引線框架，所述引線框架包括芯片座；所述芯片座上設置的芯片槽內裝配有熱膨脹系數小于芯片座的第一墊片；所述芯片設置在所述芯片槽內的第一墊片上，其中所述芯片與所述芯片槽內的第一墊片電連接。

本發明中的超薄芯片的封裝結構，在引線框架的芯片座上開設預定形狀大小的芯片槽，在芯片槽內裝配熱膨脹系數小于芯片座的第一墊片，所述芯片焊接在第一墊片之上，且第一墊片與芯片之間電連接。如此，由于第一墊片的人膨脹系數小于引線框架，芯片與第一墊片的封裝應力較為匹配，在溫度發生變化時，第一墊片發生的翹曲會小于引線框架的翹曲，進而設置在第一墊片上的芯片的翹曲也會變小，故而由于封裝應力不匹配而導致芯片內部晶胞損傷，的可能性便小，提高器件封裝結構良率及可靠性。

在一種可能的實施方式中，所述第一墊片可以通過過盈配合、錫膏焊接或者電阻焊的方式設置到所述芯片座上的芯片槽內。

上述封裝結構，所述第一墊片通過過盈配合、錫膏焊接、電阻焊的方式設置到引線框架的芯片座上開設的預定形狀大小的芯片槽上，以承載芯片，并提供比將芯片直接焊接在芯片座上更匹配的封裝應力，進而減小封裝結構器件失效率。

在一種可能的實施方式中，所述芯片與所述芯片槽內的第一墊片通過焊接焊芯或者結合材實現電連接。

上述裝置中，所述芯片與所述芯片槽內的第一墊片通過焊接焊芯或者結合材實現電連接，如此可以實現橋接電路、并在芯片工作時將其產生的熱量帶走。

在一種可能的實施方式中，其中所述第一墊片是由銅-鉬合金材料制備的。

上述封裝結構中，銅-鉬合金具有小于芯片座的熱膨脹系數，同時其具有良好的導電性和良好的導熱性，可以作為本發明實施例中一種優選的材料。

在一種可能的實施方式中，所述芯片背離所述芯片座的一側設置有第二墊片，其中所述芯片與所述位于所述芯片背離所述芯片座的一側上的第二墊片電連接。