[發明專利]一種具有低米勒電容的IGBT器件

有效

• 申請號: 201810961207.3
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109065620B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 牛博;陳錢;張金平;姜梅
• 申請（專利權）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種具有低米勒電容的IGBT器件，包括半導體基板，所述半導體基板包括第一導電類型漂移區，在所述第一導電類型漂移區上設置元胞結構；其特征是：

在所述IGBT器件的截面上，元胞結構包括對稱分布于第一導電類型漂移區內的第二導電類型體區，在每個第二導電類型體區內設置第一導電類型源區；在第一導電類型漂移區上方設置柵極多晶硅體，所述柵極多晶硅體包括屏蔽柵以及對稱分布于所述屏蔽柵兩側的控制柵，所述控制柵、屏蔽柵分別通過控制柵氧化層、屏蔽柵氧化層與第一導電類型漂移區間隔；所述控制柵與下方的第二導電類型體區、第一導電類型源區交疊，屏蔽柵位于第二類型體區之間；屏蔽柵氧化層呈T型，屏蔽柵氧化層的下部伸入第一導電類型漂移區內，控制柵鄰近屏蔽柵的端部位于屏蔽柵氧化層上；

在所述第一導電類型漂移區上方還設置發射極金屬，所述發射極金屬與第二導電類型體區、第一導電類型源區以及屏蔽柵歐姆接觸，且發射極金屬通過絕緣介質層與控制柵絕緣隔離。

2.根據權利要求1所述的具有低米勒電容的IGBT器件，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述屏蔽柵氧化層的厚度大于控制柵氧化層的厚度；屏蔽柵氧化層上部位于第一導電類型漂移區上方，屏蔽柵氧化層上部的寬度大于屏蔽柵氧化層伸入第一導電類型漂移區的下部寬度，屏蔽柵氧化層上部的厚度為0.8μm～1.2μm，屏蔽柵氧化層伸入第一導電類型漂移區內的深度為1.8μm～2.2μm。

3.根據權利要求1所述的具有低米勒電容的IGBT器件，其特征是：還包括集電極結構，所述集電極結構包括位于第一導電類型漂移區下方的第一導電類型場截止層、第二導電類型集電區，第一導電類型場截止層位于第二導電類型集電區與第一導電類型漂移區間，且第一導電類型場截止層鄰接第一導電類型漂移區以及第二導電類型集電區，第二導電類型集電區上設置集電極金屬，所述集電極金屬與第二導電類型集電區歐姆接觸。

4.根據權利要求1所述的具有低米勒電容的IGBT器件，其特征是：屏蔽柵氧化層伸入第一導電類型漂移區的深度小于第二導電類型體區在第一導電類型漂移區的深度。

5.根據權利要求1所述的具有低米勒電容的IGBT器件，其特征是：所述屏蔽柵氧化層為二氧化硅層。