[發明專利]互補場效應晶體管中的外延結構

有效

• 申請號: 201810960672.5
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109817618B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 朱利安·弗羅吉爾;謝瑞龍;史帝文·本利;帕尼特·H·蘇瓦納
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L27/12;H01L21/8238
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種集成電路結構，包括：

隔離元件，延伸至襯底中；

第一晶體管的源/漏區，接觸該隔離元件，其中，該隔離元件自該襯底延伸至該第一晶體管的該源/漏區中；

隔離層，接觸該第一晶體管的該源/漏區；

第二晶體管的源/漏區，接觸該隔離層，其中，該第一晶體管位于該第二晶體管與該襯底之間，以及其中，該隔離層包括絕緣體且位于該第一晶體管的該源/漏區與該第二晶體管的該源/漏區之間；

該第一晶體管的一溝道區，接觸并延伸于該第一晶體管的該源/漏區之間；

該第二晶體管的一溝道區，接觸并延伸于該第二晶體管的該源/漏區之間；以及

柵極導體，圍繞該第一晶體管的該溝道區及該第二晶體管的該溝道區的側面。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，其中，該隔離元件包括位于該襯底中的絕緣體塞或埋置氧化物區。

3.如權利要求1所述的集成電路結構，其中，該隔離層具有沿平行于該襯底的表面的方向的寬度，該寬度小于或等于該第一晶體管的該源/漏區的寬度。

4.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括襯里介電質，位于該隔離元件與該襯底之間。

5.如權利要求1所述的集成電路結構，其中，該第一晶體管的該源/漏區接觸與該襯底連接的埋置氧化物層。

6.如權利要求1所述的集成電路結構，其中，該第二晶體管的該源/漏區是在該第二晶體管的該溝道區的表面上的SiGe:B外延生長。

7.如權利要求1所述的集成電路結構，其中，該第一晶體管的該源/漏區及該第二晶體管的該源/漏區包括外延生長材料。

8.一種集成電路結構，包括：

襯底；

隔離元件，延伸至該襯底的表面中；

第一晶體管的源/漏區，接觸該隔離元件，其中，該隔離元件自該襯底延伸至該第一晶體管的該源/漏區中；

隔離層，接觸該第一晶體管的該源/漏區；

第二晶體管的源/漏區，接觸該隔離層，其中，該第一晶體管位于該第二晶體管與該襯底之間，以及其中，該隔離層包括絕緣體且位于該第一晶體管的該源/漏區與該第二晶體管的該源/漏區之間；

該第一晶體管的溝道區，接觸并延伸于該第一晶體管的該源/漏區之間；

該第二晶體管的溝道區，接觸并延伸于該第二晶體管的該源/漏區之間，其中，該第一晶體管的該溝道區與該第二晶體管的該溝道區平行于該襯底的該表面而延伸；

柵極導體，圍繞該第一晶體管的該溝道區及該第二晶體管的該溝道區的側面；以及

襯里介電質，電性橫向鄰近該柵極導體，

其中，該襯里介電質不同于該隔離層及該隔離元件。

9.如權利要求8所述的集成電路結構，其中，該隔離元件包括位于該襯底中的絕緣體塞或埋置氧化物區。

10.如權利要求8所述的集成電路結構，其中，該隔離層具有沿平行于該襯底的該表面的方向的寬度，該寬度小于或等于該第一晶體管的該源/漏區的寬度。

11.如權利要求8所述的集成電路結構，其中，該襯里介電質位于該隔離元件與該襯底之間。

12.如權利要求8所述的集成電路結構，其中，該第一晶體管的該源/漏區接觸與該襯底連接的埋置氧化物層。

13.如權利要求8所述的集成電路結構，其中，該第二晶體管的該源/漏區是在該第二晶體管的該溝道區的表面上的SiGe:B外延生長。

14.如權利要求8所述的集成電路結構，其中，該第一晶體管的該源/漏區及該第二晶體管的該源/漏區包括外延生長材料。