[發明專利]半導體裝置及控制裝置

在審

• 申請號: 201810958970.0
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN110289306A
• 公開（公告）日: 2019-09-27
• 發明（設計）人: 小林研也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

本發明的實施方式一般涉及半導體裝置及控制裝置。根據一個實施方式，半導體裝置具有第1導電型的第1半導體區域、第2導電型的第2半導體區域、第1導電型的第3半導體區域、導電部、柵極電極及控制裝置。控制裝置進行第1動作、第2動作、第3動作及第4動作。在第1動作中，使導電部的電位從第1電位變化為高于第1電位的第2電位。在第2動作中，使柵極電極的電位從第3電位變化為高于第3電位的第4電位。在第1動作及第2動作之后的第3動作中，使柵極電極的電位從第4電位變化為第3電位。在第3動作之后的第4動作中，使導電部的電位從第2電位變化為第1電位。

關聯申請

本申請享受以日本專利申請2018－50831號(申請日：2018年3月19日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包括基礎申請的全部的內容。

技術領域

本發明的實施方式一般涉及半導體裝置及控制裝置。

背景技術

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等的半導體裝置被用于電力變換等的用途。希望半導體裝置的消耗電力較低。

發明內容

本發明的實施方式提供能夠降低消耗電力的半導體裝置及其控制裝置。

根據一個實施方式，半導體裝置具有半導體元件及控制裝置。上述半導體元件具有第1導電型的第1半導體區域、第2導電型的第2半導體區域、第1導電型的第3半導體區域、導電部、柵極電極及控制裝置。上述第2半導體區域設置在上述第1半導體區域之上。上述第3半導體區域設置在上述第2半導體區域的一部分之上。上述導電部隔著第1絕緣部設置在上述第1半導體區域中。上述柵極電極隔著第2絕緣部設置在上述導電部之上。上述柵極電極在與從上述第1半導體區域朝向上述第2半導體區域的第1方向垂直的第2方向上，與上述第1半導體區域的一部分、上述第2半導體區域及上述第3半導體區域的至少一部分隔著柵極絕緣部而對置。上述控制裝置與上述導電部及上述柵極電極電連接。上述控制裝置進行第1動作、第2動作、第3動作及第4動作。在上述第1動作中，使上述導電部的電位從第1電位變化為絕對值大于上述第1電位的第2電位。在上述第2動作中，使上述柵極電極的電位從第3電位變化為絕對值大于上述第3電位的第4電位，將上述半導體元件切換為導通狀態。上述第3動作在上述第1動作及上述第2動作之后進行，在上述第3動作中，使上述柵極電極的電位從上述第4電位變化為上述第3電位，將上述半導體元件切換為截止狀態。在上述第3動作之后的上述第4動作中，使上述導電部的電位從上述第2電位變化為上述第1電位。

附圖說明

圖1是表示實施方式所涉及的半導體裝置的示意圖。

圖2是表示實施方式所涉及的半導體裝置中包括的半導體元件的一部分的立體剖視圖。

圖3是包括實施方式所涉及的半導體裝置的電氣設備的電路圖。

圖4(a)～(d)是表示圖3所示的電氣電路的動作的示意圖。

圖5(a)～(c)是表示圖3所示的電氣電路的動作的示意圖。

圖6是表示圖3所示的電氣電路的動作的時序圖。

圖7是包括實施方式所涉及的半導體裝置的其他的電氣設備的電路圖。

圖8(a)～(f)是表示圖7所示的電氣電路的動作的示意圖。

圖9是表示圖7所示的電氣電路的動作的時序圖。

具體實施方式

以下，對于本發明的各實施方式，參照附圖進行說明。