[發明專利]形成開口于下方層中的方法

有效

• 申請號: 201810957232.4
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN109585277B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 林子揚;吳承翰;張慶裕;林進祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;馮志云

1.一種形成開口于下方層中的方法，包括：

形成一光致抗蝕劑層于一基板上的一下方層上；

曝光該光致抗蝕劑層；

以一顯影溶液顯影曝光的該光致抗蝕劑層，以形成多個光致抗蝕劑圖案，且所述多個光致抗蝕劑圖案覆蓋欲形成多個開口的該下方層的多個區域；

形成一液體層于該光致抗蝕劑圖案上；

將該液體層轉變為固體型態的一有機層；

移除高于所述多個光致抗蝕劑圖案的該有機層的一部分；

移除所述多個光致抗蝕劑圖案，并保留該有機層的其余部分，以部分地露出該下方層的多個部分；

采用該有機層的其余部分作為蝕刻掩模，形成所述多個開口于該下方層中；

移除該有機層的其余部分；以及

在移除該有機層的其余部分之后，形成一金屬層覆蓋該下方層的頂表面并填充該下方層的所述多個開口。

2.如權利要求1所述的形成開口于下方層中的方法，其中該有機層為負型光致抗蝕劑層，其組成為金屬化光致抗蝕劑材料。

3.如權利要求2所述的形成開口于下方層中的方法，其中該金屬化光致抗蝕劑材料包括至少一金屬化材料、光酸產生劑、堿淬息劑、發色團、與溶劑。

4.如權利要求1所述的形成開口于下方層中的方法，其中該液體層為干顯影沖洗材料。

5.如權利要求1所述的形成開口于下方層中的方法，還包括施加該顯影溶液以維持該光致抗蝕劑圖案濕潤，直到形成該液體層。

6.如權利要求1所述的形成開口于下方層中的方法，還包括在施加該顯影溶液之后與施加該液體層之前，進行沖洗與干燥工藝以完全移除該顯影溶液。

7.如權利要求1所述的形成開口于下方層中的方法，還包括施加極紫外線以曝光該光致抗蝕劑層。

8.如權利要求1所述的形成開口于下方層中的方法，其中所述多個光致抗蝕劑圖案的間距介于30nm至70nm之間、寬度介于15nm至35nm之間、且厚度介于15nm至30nm之間。

9.一種形成開口于下方層中的方法，包括：

形成一下方層于一基板上；

形成一負型光致抗蝕劑層于該下方層上；

選擇性曝光該光致抗蝕劑層；

顯影選擇性曝光的該光致抗蝕劑層，以形成一光致抗蝕劑圖案；

形成一有機層于該光致抗蝕劑圖案上；

移除該光致抗蝕劑圖案上的該有機層的一部分；

蝕刻該光致抗蝕劑圖案以形成一圖案于該有機層中，并露出該下方層的一部分；

將該有機層中的該圖案轉移至該下方層中，使該下方層具有多個開口；

移除該有機層的其余部分；以及

在移除該有機層的其余部分之后，形成一金屬層覆蓋該下方層的頂表面并填充該下方層的所述多個開口。

10.如權利要求9所述的形成開口于下方層中的方法，其中該有機層由一干顯影沖洗材料所形成。

11.如權利要求10所述的形成開口于下方層中的方法，其中該干顯影沖洗材料包括一聚合物，且該聚合物的結構單元為式(1):

其中R1與R2為C_1-8有機基團。

12.如權利要求10所述的形成開口于下方層中的方法，其中該干顯影沖洗材料的液體施加至該光致抗蝕劑圖案，且在施加該干顯影沖洗材料至該光致抗蝕劑圖案之后以80℃至120℃的溫度烘干該干顯影沖洗材料，使該干顯影沖洗材料轉變成固體。

13.如權利要求10所述的形成開口于下方層中的方法，其中該光致抗蝕劑與該干顯影沖洗材料具有不同的光學特性。