[發明專利]溫度傳感器及制備方法

在審

• 申請號: 201810955488.1
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN109211428A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 劉儒平;李舟;王曉宇;王慰;李路海;封紅青;光芳草
• 申請（專利權）人: 北京印刷學院;廣東心科醫療科技有限公司
• 主分類號: G01K7/04
• 分類號: G01K7/04;G01K1/14
• 代理公司: 北京恒博知識產權代理有限公司 11528
• 代理人: 范勝祥

1.一種溫度傳感器，其特征在于，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上設置有熱電偶電極，所述的熱電偶電極包括第一金屬電極本體和第二金屬電極本體，所述的第一金屬電極本體的第一端與所述的第二金屬電極本體的第一端連接，所述的第一金屬電極本體和第二金屬電極本體材質不同；

所述的第一金屬電極本體的第二端與第一引線相連，所述的第二金屬電極本體的第二端與第二引線相連，所述的第一引線可降解，所述的第二引線可降解。

2.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述的熱電偶電極的數量為至少兩個，所述的熱電偶電極單獨使用或彼此串聯或并聯使用。

3.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材的材質為聚乙交酯薄膜、聚己內酯薄膜、聚碳酸亞丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。

4.根據權利要求1所述的溫度傳感器，其特征在于，所述的第一金屬電極本體表面設置有厚度為1μm-5μm的保護膜，所述的第二金屬電極本體表面設置有厚度為1μm-5μm的保護膜。

5.根據權利要求4所述的溫度傳感器，其特征在于，所述的保護膜的材質為碳化硅、氮化硅或二氧化硅。

6.一種溫度傳感器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

清洗可降解柔性薄膜基材；

在所述的可降解柔性薄膜基材上設置熱電偶電極，所述的熱電偶電極包括第一金屬電極本體和第二金屬電極本體，所述的第一金屬電極本體的第一端與所述的第二金屬電極本體的第一端連接，所述的第一金屬電極本體和第二金屬電極本體材質不同；

將所述的第一金屬電極本體的第二端與第一引線相連，所述的第二金屬電極本體的第二端與第二引線相連，得到所述的溫度傳感器。

7.根據權利要求6所述的溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述的熱電偶電極的數量為至少兩個，所述的熱電偶電極單獨使用或彼此串聯或并聯使用。

8.根據權利要求6所述的溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材的材質為聚乙交酯薄膜、聚己內酯薄膜、聚碳酸亞丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。

9.根據權利要求6所述的溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材采用電暈放電處理、輝光放電處理、低溫火焰處理、紫外處理、皂化處理中的任意一種或幾種方法相結合進行處理。

10.根據權利要求6所述的溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述的在可降解柔性薄膜基材上設置熱電偶電極的第一金屬電極本體和第二金屬電極本體采用原子層沉積法或射頻磁控濺射法制備。

11.根據權利要求6所述的溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述的第一金屬電極本體表面設置有厚度為1μm-5μm的保護膜，所述的第二金屬電極本體表面設置有厚度為1μm-5μm的保護膜。

12.根據權利要求11所述的溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述的保護膜的材質為碳化硅、氮化硅或二氧化硅。