[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201810947375.7
• 申請日: 2018-08-20
• 公開（公告）號: CN108807615B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 黃柏榮;劉品妙;蔡正曄;林振祺
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

一種發光二極管，包括N型半導體層、P型半導體層以及發光層。P型半導體層位于N型半導體層上。發光層位于P型半導體層與N型半導體層之間。N型半導體層具有相連的第一區以及第二區。第一區于第一方向上重疊于發光層與P型半導體層。第二區于第一方向上不重疊于發光層與P型半導體層。P型半導體層的片電阻小于N型半導體層的片電阻。

技術領域

本發明是有關于一種發光元件，且特別是有關于一種發光二極管。

背景技術

一般而言，發光二極管包括P型半導體層、N型半導體層以及發光層，其中發光層位于P型半導體層與N型半導體層之間。當對發光二極管施加電壓時，電子與空穴會于發光層中結合并放出光線。

隨著科技的進步，發光二極管的尺寸不斷的被縮小。由于發光層在靠近側壁的部位通常具有較差的發光效率，當發光二極管的尺寸被縮小后，發光效率較差的部分所占的體積比例也隨之增加，導致發光二極管的整體發光效率變差。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

發明內容

本發明提供一種發光二極管，能改善發光二極管發光效率差的問題。

本發明的至少一實施例提供一種發光二極管，包括N型半導體層、P型半導體層以及發光層。P型半導體層位于N型半導體層上。發光層位于P型半導體層與N型半導體層之間。N型半導體層具有相連的第一區以及第二區。第一區于第一方向上重疊于發光層與P型半導體層。第二區于第一方向上不重疊于發光層與P型半導體層。P型半導體層的片電阻小于N型半導體層的片電阻。

基于上述，本發明至少一實施例中的發光二極管的P型半導體層的片電阻調整為小于N型半導體層的片電阻，藉此能改善發光二極管發光效率差的問題。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1A是依照本發明的一實施例的一種發光二極管的上視示意圖。

圖1B是圖1A剖面線A-A’的剖面示意圖。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種發光二極管的上視示意圖。

圖2B是圖2A剖面線B-B’的剖面示意圖。

圖3A是依照本發明的一實施例的一種發光二極管的上視示意圖。

圖3B是圖3A剖面線C-C’的剖面示意圖。

圖4A是依照本發明的一實施例的一種發光二極管的上視示意圖。

圖4B是圖4A剖面線D-D’的剖面示意圖。

其中，附圖標記：

10、20、30、40：發光二極管

100：N型半導體層

110：第一電極

200：發光層

300：P型半導體層

310：第二電極

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’：剖面線

B1：第二面

B3：第四面

D1：第一方向

G1：距離

H1、H2、H3、t1、t2、t3、t4：厚度

I：絕緣層

N1、N2：缺角

P1、P2、P3、P4：部分

Q1：長度