[發明專利]用于制造MEMS傳感器的方法和MEMS傳感器有效
| 申請號： | 201810947220.3 | 申請日： | 2018-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN109422239B | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發明（設計）人： | M·施泰爾特 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 鄭立柱;張鵬 |
| 地址： | 德國諾伊*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 制造 mems 傳感器 方法 | ||
1.一種用于制造MEMS傳感器(100)的方法，
其中提供襯底(1)，
其中在所述襯底(1)的正面(10)上構造MEMS結構(2)，
其中在所述襯底(1)中構造具有凹槽(30)的解耦結構(3)，所述解耦結構(3)使所述襯底(1)的第一區域(11)與第二區域(12)應力解耦，
其中在所述襯底(1)的與所述正面(10)對置的背面(13)中，通過第一蝕刻工藝構造第一空腔(4)并且通過第二蝕刻工藝構造第二空腔(5)，并且
其中所述第一空腔(4)和所述第二空腔(5)被構造為使得所述第二空腔(5)包括所述第一空腔(4)并且所述第二空腔(5)與所述MEMS結構(2)的底部區域(21)和所述解耦結構(3)的底部區域(31)鄰接。
2.根據權利要求1所述的方法，
其中利用所述第一蝕刻工藝構造第一蝕刻深度(T1)并且利用所述第二蝕刻工藝構造第二蝕刻深度(T2)，使得在所述第一蝕刻深度(T1)和所述第二蝕刻深度(T2)之間的差值等于在所述MEMS結構(2)的底部區域(21)的深度(T3)和所述解耦結構(3)的底部區域(31)的深度(T4)之間的差值。
3.根據權利要求1或2所述的方法，
其中在構造所述第一空腔(4)之前在所述襯底(1)的背面(13)上構造蝕刻停止掩膜(6)，使得所述襯底(1)的第一部分(14)僅被保護免受所述第一蝕刻工藝并且所述襯底(1)的第二部分(15)被保護免受所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝。
4.根據權利要求1或2所述的方法，
其中在構造所述第一空腔(4)和所述第二空腔(5)之前構造所述MEMS結構(2)和所述解耦結構(3)。
5.根據權利要求1或2所述的方法，
其中通過所述第一蝕刻工藝在所述襯底(1)的背面(13)構造預凹槽(32)，并且
其中通過所述第二蝕刻工藝將所述預凹槽(32)朝所述襯底(1)的正面(10)推進，以構造所述解耦結構(3)的所述凹槽(30)。
6.根據權利要求5所述的方法，
其中在構造所述第一空腔(4)之前在所述襯底(1)的背面(13)上構造蝕刻停止掩膜(6)，使得所述襯底(1)的第一部分(14)僅被保護免受所述第一蝕刻工藝并且所述襯底(1)的第二部分(15)被保護免受所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝，并且使得通過所述第一蝕刻工藝在所述襯底(1)中構造所述第一空腔(4)和所述預凹槽(32)。
7.根據權利要求1或2所述的方法，
其中所述MEMS結構(2)被構造用于壓力傳感器。
8.根據權利要求1或2所述的方法，
其中所述MEMS結構(2)被構造用于麥克風，并且
其中膜片(20)被構造作為所述MEMS結構(2)的一部分。
9.根據權利要求8所述的方法，
其中所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝實施為使得在所述襯底(1)的整個厚度(d)上去除所述膜片(20)下方的襯底(1)。
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