[發明專利]類E類射頻功率放大器

在審

• 申請號: 201810947079.7
• 申請日: 2018-08-20
• 公開（公告）號: CN109104161A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 任江川;戴若凡
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H03F3/193
• 分類號: H03F3/193;H03F3/21
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種類E類射頻功率放大器，其特征在于：包含一個電阻、第一～第二共兩個MOS管、第一～第三共3個電感、第一～第五共5個電容：

兩個MOS管串聯后第二MOS一端通過第一電感接電源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管柵極為類E類功率放大器的輸入端口；接第一電感的MOS管的柵極與第一電容連接，第一電容的另一端接地；第一電阻一端接第一電容，另一端接電壓VB，所述電壓VB為一偏置電壓，采用連接電源或者其他偏置電壓，根據電路需要進行調整；

第二MOS的漏端依次串接第二電容以及第二電感后，形成第二輸出端，且第二輸出端還通過一第四電容接地；

第一MOS的漏端依次串接第三電容以及第三電感后，形成第一輸出端，且第一輸出端還通過一第五電容接地。

2.如權利要求1所述的類E類射頻功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均為NMOS管，兩個MOS管均提供輸出，且每個MOS管均為漏端輸出。

3.如權利要求2所述的類E類射頻功率放大器，其特征在于：所述的兩個MOS管的漏端輸出具有類似的輸出曲線，即相位相同，僅振幅不同。

4.一種類E類射頻功率放大器，其特征在于：包含一個電阻、第一～第二共兩個MOS管、第一～第三共3個電感、第一～第五共5個電容：

兩個MOS管串聯后第二MOS一端通過第一電感接電源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管柵極為類E類功率放大器的輸入端口；接第一電感的MOS管的柵極與第一電容連接，第一電容的另一端接地；第一電阻一端接第一電容，另一端接VB；

第二MOS的漏端還依次串接第二電容以及第二電感后，連接一功率合成器的輸入端，且該輸入端還通過一第四電容接地；

第一MOS的漏端還依次串接第三電容以及第三電感后，連接所述功率合成器的另一輸入端，且該輸入端還通過一第五電容接地；

功率合成器的輸出端形成該類E類功率放大器的總輸出端。

5.如權利要求4所述的類E類射頻功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均為NMOS管，兩個MOS管均提供輸出，且每個MOS管均為漏端輸出。

6.一種類E類射頻功率放大器，其特征在于：包含一個電阻、第一～第二共兩個MOS管、第一～第二共2個電感、第一～第四共4個電容：

兩個MOS管串聯后第二MOS一端通過第一電感接電源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管柵極為類E類功率放大器的輸入端口；接第一電感的MOS管的柵極與第一電容連接，第一電容的另一端接地；第一電阻一端接第一電容，另一端接VB；

第二MOS的漏端串接一第二電容；

第一MOS的漏端串接一第三電容；第二電容的剩余一端與第三電容的剩余一端并聯后串接一第二電感，第二電感的另一端通過第4電容接地，并形成所述類E類功率放大器的總輸出端。

7.如權利要求6所述的類E類射頻功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均為NMOS管，兩個MOS管均提供輸出，且每個MOS管均為漏端輸出。

8.一種類E類射頻功率放大器，其特征在于：所述放大器具有兩輸入端口電路構成差分輸入端，每個差分輸入端口電路均包含一個電阻、第一～第二共兩個MOS管、一個電感、第一～第三共3個電容；

兩個MOS管串聯后第二MOS一端通過第一電感接電源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管柵極為類E類功率放大器的一差分輸入端口；接第一電感的MOS管的柵極與第一電容連接，第一電容的另一端接地；第一電阻一端接第一電容，另一端接VB；

第二MOS的漏端還一第二電容；

第一MOS的漏端還接一第三電容；第二電容的剩余一端與第三電容的剩余一端并聯后形成差分輸入端口電路的輸出端；

一變壓器與第四電容并聯，兩差分輸入端口電路的兩輸出端分別連接變壓器的初級線圈兩端，變壓器的次級線圈一端接地，另一端形成整個類E類功率放大器的總輸出端，并且該總輸出端還通過一第五電容接地。