[發(fā)明專利]一種壓電晶片及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810943233.3
• 申請(qǐng)日: 2018-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN109273586A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 枋明輝;林彥甫;楊勝裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建晶安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L41/04
• 分類號(hào): H01L41/04;H01L41/337
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種壓電晶片，其特征在于，包括壓電材料和至少被壓電材料部分包裹的抗磨材料，壓電材料由壓電晶體材料構(gòu)成，抗磨材料硬度大于壓電材料，抗磨材料做為晶片的移除截止部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，晶片已經(jīng)過或?qū)⒔?jīng)過減薄工藝，減薄工藝包括研磨、拋光。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，晶片具有支撐基板，支撐基板與壓電材料連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種壓電晶片，其特征在于，在減薄工藝中，移除截止部的移除速度小于壓電材料，減緩或者阻止壓電材料被移除。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，晶片在未減薄前，晶片的其中一面為待減薄面，移除截止部距晶片待減薄面的距離為晶片的待移除厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，晶片在減薄工藝完成之后，移除截止部暴露在晶片的研磨一面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，移除截止部的材料包括鎢、鋁、銅、鉭，或者上述金屬的合金，或者為上述的氮化物、氧化物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，抗磨材料外觀與壓電材料外觀不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，移除截止部靠近晶片邊緣。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，移除截止部關(guān)于晶片中心對(duì)稱分布。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，壓電材料包括鉭酸鋰或者鈮酸鋰。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，移除截止部的厚度為大于等于0.1μm至小于等于10μm或者大于10μm至小于等于20μm。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，移除截止部的莫氏硬度為大于等于5至小于等于10，或者大于10。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，壓電材料和抗磨材料的移除選擇比大于10:1。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，移除截止部包括圓形、環(huán)形、多邊形。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種壓電晶片，其特征在于，在壓電材料內(nèi)具有一個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)移除截止部。

17.一種壓電晶片的制作方法，用于制作超薄晶片，包括：

步驟（1）提供壓電材料制作的晶片，晶片的一側(cè)為待鍵合面、另一側(cè)為待減薄面，在晶片的待鍵合面制作溝槽；

步驟（2）在溝槽內(nèi)填充硬度大于壓電材料的抗磨材料，抗磨材料作為晶片的移除截止部；

步驟（3）將晶片的待鍵合面一側(cè)鍵合到支撐基板上；

步驟（4）從晶片的待減薄面的一側(cè)對(duì)晶片進(jìn)行減薄工藝，減薄至暴露出晶片的移除截止部，移除截止部保護(hù)晶片的壓電材料不被繼續(xù)移除。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的一種壓電晶片的制作方法，其特征在于，減薄工藝包括研磨或者拋光。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的一種壓電晶片的制作方法，其特征在于，壓電材料為鉭酸鋰或者鈮酸鋰。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的一種壓電晶片的制作方法，其特征在于，抗磨材料外觀與壓電材料外觀不同。