[發明專利]薄膜晶體管制造方法、薄膜晶體管、顯示基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201810943108.2
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109103113B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 李梁梁;崔大林;胡貴光;李潭;鄒振游;付婉霞;陳周煜;霍亞洲
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786;H01L29/45
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

本發明提供了一種薄膜晶體管的制造方法，制造方法包括：形成有源層；形成源漏金屬材料層，源漏金屬材料層包括源極區、漏極區和位于源極區和漏極區之間的絕緣預備區；對絕緣預備區進行氧化處理，以使得絕緣預備區形成為絕緣塊、源極區形成為源極、漏極區形成為漏極。本發明還提供采用薄膜晶體管的制造方法制造的薄膜晶體管、包括薄膜晶體管的顯示基板以及包括顯示基板的顯示面板，薄膜晶體管的制造方法可以避免形成源極和漏極過程中對有源層的污染和損害，使得所述薄膜晶體管的源極、漏極與所述有源層形成良好的歐姆接觸，進而提升所述薄膜晶體管的器件穩定性。

技術領域

本發明涉及氧化物薄膜晶體管制造技術領域，具體地，涉及一種薄膜晶體管的制造方法、采用該方法制造的薄膜晶體管、包括所述薄膜晶體管的顯示基板以及包括所述顯示基板的顯示面板。

背景技術

在現有技術中，一般在金屬氧化物薄膜晶體管形成有源層后，采用背溝道刻蝕(BCE)工藝或者刻蝕阻擋工藝制造源漏電極。

對于金屬氧化物薄膜晶體管而言，為了確保該金屬氧化物薄膜晶體管的性能，應當降低有源層與源極、有源層與漏極之間的接觸電阻，使得有源層與源極、有源層與漏極之間具有良好的歐姆接觸。

因此，如何設計一種新的薄膜晶體管制造方法，以使得利用該方法制造的所述薄膜晶體管的源極、漏極與所述有源層形成良好的歐姆接觸，進而提升所述薄膜晶體管的性能成為亟需解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種薄膜晶體管的制造方法、采用該方法制造的薄膜晶體管、包括所述薄膜晶體管的顯示基板以及包括所述顯示基板的顯示面板，所述薄膜晶體管的制造方法制造的所述薄膜晶體管的源極、漏極與所述有源層形成良好的歐姆接觸，進而提升所述薄膜晶體管的器件穩定性。

為了解決上述問題，作為本發明第一個方面，提供了一種薄膜晶體管的制造方法，其中，所述制造方法包括：

形成有源層；

形成源漏金屬材料層，所述源漏金屬材料層包括源極區、漏極區和位于所述源極區和所述漏極區之間的絕緣預備區；

對所述絕緣預備區進行氧化處理，以使得所述絕緣預備區形成為絕緣塊、所述源極區形成為源極、所述漏極區形成為漏極，所述絕緣塊將所述源極和所述漏極絕緣間隔開。

優選地，對所述絕緣預備區進行氧化處理的步驟包括：

形成掩膜圖形，所述掩膜圖形包括源極保護塊、漏極保護塊和鏤空區，所述源極保護塊設置在所述源極區上方，所述漏極保護塊設置在所述漏極區上方，所述鏤空區設置在所述源極保護塊和所述漏極保護塊之間，以露出所述絕緣預備區的表面；

通入含氧工藝氣體，利用所述含氧工藝氣體通過所述鏤空區對所述絕緣預備區進行氧化，以使得所述絕緣預備區被氧化形成所述絕緣塊。

優選地，通入含氧工藝氣體的步驟中，對所述含氧工藝氣體進行等離子化。

優選地，在形成有源層的步驟中，采用磁控濺射工藝形成所述有源層，其中，磁控濺射的靶材包括由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅燒結而成的有源層靶材，濺射用工藝氣體包括惰性氣體和氧氣。

優選地，隨著形成有源層的步驟的進行，執行磁控濺射工藝的工藝腔室中的氧氣通量逐漸減少。

作為本發明的第二個方面，提供一種薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管由本發明所提供的上述制造方法制成，所述薄膜晶體管包括有源層和源漏層，所述源漏層設置在所述有源層厚度方向的一側，所述源漏層包括一體成型的源極、漏極和絕緣塊，所述源極和所述漏極之間形成有間隔，所述絕緣塊設置在所述間隔中，以將所述源極和所述漏極絕緣間隔，所述絕緣塊由形成所述源極和所述漏極的材料進行氧化獲得的材料制成。

優選地，所述薄膜晶體管還包括柵極和柵極絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述有源層和所述柵極之間。