[發(fā)明專利]一種分布式放大器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810942986.2
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN108667433A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設計）人: 劉雁鵬;陳續(xù)威;鐘立平;章國豪
• 申請（專利權）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42;H03F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;唐京橋

1.一種分布式放大器，其特征在于，包括：漏極傳輸線、柵極傳輸線、信號輸入單元、信號輸出單元、漏極低頻終端、柵極低頻終端和增益單元；

漏極傳輸線由N+1個漏極電感依次電連接組成，柵極傳輸線由N+1個柵極電感依次電連接組成，N為預置的正整數(shù)；

第i個漏極電感的第二端和第i+1個漏極電感的第一端與第i個增益單元的第一端電連接，第i個柵極電感的第二端和第i+1個柵極電感的第一端與第i個增益單元的控制端電連接，各個增益單元的第二端接地，i為小于或等于N的正整數(shù)；

第一個漏極電感的第一端與漏極低頻終端的輸入端電連接，第N+1個漏極電感的第二端與信號輸出單元的輸入端電連接；

第一個柵極電感的第一端與信號輸入單元的輸出端電連接，第N+1個柵極電感的第二端與柵極低頻終端的輸入端電連接；

漏極低頻終端由漏極低頻信號接地通路組成，柵極低頻終端由柵極低頻信號接地通路組成。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種分布式放大器，其特征在于，漏極低頻終端具體包括：第一漏極低頻信號接地通路、第二漏極低頻信號接地通路、第三漏極低頻信號接地通路和漏極接入電阻；

第一漏極低頻信號接地通路具體包括：第一漏極電阻和第一漏極接地電容，第一漏極接地電容的第一端與第一漏極電阻的第一端電連接，第一漏極接地電容的第二端接地；

第二漏極低頻信號接地通路具體包括：第二漏極電阻、第二漏極接地電容和第三漏極接地電容，第二漏極接地電容和第三漏極接地電容的第一端與第二漏極電阻的第一端電連接，第二漏極接地電容和第三漏極接地電容的第二端接地；

第三漏極低頻信號接地通路具體包括：第三漏極電阻和第四漏極接地電容，第四漏極接地電容的第一端與第三漏極電阻的第一端電連接，第四漏極接地電容的第二端接地；

第一漏極電阻、第二漏極電阻和第三漏極電阻的第二端與漏極接入電阻的第一端電連接，漏極接入電阻的第二端與第一個漏極電感的第一端電連接。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種分布式放大器，其特征在于，柵極低頻終端具體包括：第一柵極低頻信號接地通路、第二柵極低頻信號接地通路、第三柵極低頻信號接地通路和柵極接入電阻；

第一柵極低頻信號接地通路具體包括：第一柵極電阻、第一柵極接地電容和第二柵極接地電容，第一柵極接地電容和第二柵極接地電容的第一端與第一柵極電阻的第一端電連接，第一柵極接地電容和第二柵極接地電容的第二端接地；

第二柵極低頻信號接地通路具體包括：第二柵極電阻和第三柵極接地電容，第三柵極接地電容的第一端與第二柵極電阻的第一端電連接，第三柵極接地電容的第二端接地；

第三柵極低頻信號接地通路具體包括：第三柵極電阻和第一柵極偏置電壓源，第一柵極偏置電壓源的輸入端與第三柵極電阻的第一端電連接；

第一柵極電阻、第二柵極電阻和第三柵極電阻的第二端與柵極接入電阻的第一端電連接，柵極接入電阻的第二端與第N+1個柵極電感的第一端電連接。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種分布式放大器，其特征在于，還包括：穩(wěn)定單元；

穩(wěn)定單元由穩(wěn)定電阻和穩(wěn)定電容并聯(lián)組成，穩(wěn)定單元設置于增益單元與漏極電感之間，第i個柵極電感的第二端和第i+1個柵極電感的第一端與穩(wěn)定單元的第一端電連接，穩(wěn)定單元的第二端與第i個增益單元的控制端電連接。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種分布式放大器，其特征在于，信號輸入單元具體包括：第一隔直電容；

第一個柵極電感的第一端與第一隔直電容的第一端電連接，第一隔直電容的第二端為信號輸入端。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種分布式放大器，其特征在于，信號輸出單元具體包括：漏極偏置電壓源和T型偏置器；

T型偏置器具體包括：扼流電感和第二隔直電容，扼流電感和第二隔直電容的第一端與第N+1個漏極電感的第二端電連接，扼流電感的第二端與漏極偏置電壓源的輸入端電連接，第二隔直電容的第二端為信號輸出端。