[發明專利]一種9腔體立式HWCVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝

在審

• 申請號: 201810942766.X
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN110835733A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 黃海賓;黃振;周浪;彭德香;任棟樑;劉超
• 申請（專利權）人: 中智（泰興）電力科技有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/46;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20
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1.一種9腔體立式HWCVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝，其特征在于：采用立式結構的本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、立式結構摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體，以及三個立式結構的TCO薄膜沉積PVD腔體，將上述薄膜沉積腔體集成，各腔體之間采用真空鎖結構連接，各個腔體在硅片未進入前均由其外接真空系統保持真空狀態，將需進行鍍膜的硅片固定到垂直放置的載板上；上料腔體破真空，打開進料端真空鎖，載板由移動裝置送入上料腔體中，然后關閉真空鎖抽真空，打開上料腔體和加熱腔體間的真空鎖，載板送入熱加熱腔體并關閉真空鎖抽真空進行預加熱，預加熱可由腔體內或外接加熱系統完成，達到預定的真空度和溫度后，打開預加熱腔體、本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體之間的真空鎖；將載板送入本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中關閉真空鎖；在本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中進行本征非晶硅薄膜層的沉積，沉積結束后抽除殘余反應氣體，達到所需真空度后打開本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體之間的真空鎖，將載板送入到摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中關閉真空鎖；在摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中進行摻雜非晶硅薄膜層的沉積，沉積結束后抽除殘余反應氣體，達到所需真空度后打開該腔室后的真空鎖，將載板送入到過渡腔體中，通過在過渡腔體內抽真空過渡、加熱過渡、冷卻過渡調整載板溫度，起到了TCO沉積前的預加熱以及調節HWCVD部分和TCO沉積部分的作用；再打開其后真空鎖送入第一TCO薄膜沉積PVD腔體中關閉真空鎖；第一、二、三TCO薄膜沉積PVD腔體之間的真空鎖在正常工作情況下保持打開狀態，濺射靶安裝在第二TCO薄膜沉積PVD腔體中，載板勻速的依次通三個腔體，完成TCO的鍍膜過程；然后打開第三TCO薄膜沉積PVD腔體后的真空鎖，載板被送入下料腔體后關閉真空鎖；在下料腔體中用氮氣或潔凈空氣破真空，然后打開下料腔體出料端的真空鎖，將載板移出；關閉真空鎖，對下料腔體抽真空，完成非晶硅/晶體硅異質結太陽電池用硅片的一個表面的本征非晶硅、重摻雜非晶硅和TCO的鍍膜工作。