[發(fā)明專利]一種9腔體臥式HWCVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810942765.5
• 申請(qǐng)日: 2018-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN110835732A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃振;黃海賓;周浪;彭德香;任棟梁;劉超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中智（泰興）電力科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C23C14/35;C23C14/56;C23C16/24;C23C16/54;H01L21/67;H01L31/20
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1.一種9腔體臥式HWCVD-PVD一體化硅片鍍膜工藝，其特征在于：采用臥式結(jié)構(gòu)的本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體、臥式結(jié)構(gòu)摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體，以及三個(gè)臥式結(jié)構(gòu)的TCO薄膜沉積PVD腔體，將上述薄膜沉積腔體集成，各腔體之間采用真空鎖結(jié)構(gòu)連接，各個(gè)腔體在硅片未進(jìn)入前均由其外接真空系統(tǒng)保持真空狀態(tài)，將需進(jìn)行鍍膜的硅片固定到水平放置的載板上；上料腔體破真空，打開進(jìn)料端真空鎖，載板由移動(dòng)裝置送入上料腔體中，然后關(guān)閉真空鎖抽真空，打開上料腔體和加熱腔體間的真空鎖，載板送入熱加熱腔體并關(guān)閉真空鎖抽真空進(jìn)行預(yù)加熱，預(yù)加熱可由腔體內(nèi)或外接加熱系統(tǒng)完成，達(dá)到預(yù)定的真空度和溫度后，打開預(yù)加熱腔體、本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體之間的真空鎖；將載板送入本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中關(guān)閉真空鎖；在本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中進(jìn)行本征非晶硅薄膜層的沉積，沉積結(jié)束后抽除殘余反應(yīng)氣體，達(dá)到所需真空度后打開本征非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體之間的真空鎖，將載板送入到摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中關(guān)閉真空鎖；在摻雜非晶硅薄膜沉積HWCVD腔體中進(jìn)行摻雜非晶硅薄膜層的沉積，沉積結(jié)束后抽除殘余反應(yīng)氣體，達(dá)到所需真空度后打開該腔室后的真空鎖，將載板送入到過渡腔體中，通過在過渡腔體內(nèi)抽真空過渡、加熱過渡、冷卻過渡調(diào)整載板溫度起到了TCO沉積前的預(yù)加熱以及調(diào)節(jié)HWCVD部分和TCO沉積部分的作用，再打開其后真空鎖送入第一TCO薄膜沉積PVD腔體中關(guān)閉真空鎖，第一、二、三TCO薄膜沉積PVD腔體之間的真空鎖在正常工作情況下保持打開狀態(tài)，濺射靶安裝在第二TCO薄膜沉積PVD腔體中，載板勻速的依次通三個(gè)腔體，完成TCO的鍍膜過程；然后打開第三TCO薄膜沉積PVD腔體后的真空鎖，載板被送入下料腔體后關(guān)閉真空鎖；在下料腔體中用氮?dú)饣驖崈艨諝馄普婵眨缓蟠蜷_下料腔體出料端的真空鎖，將載板移出；關(guān)閉真空鎖，對(duì)下料腔體抽真空，完成非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池用硅片的一個(gè)表面的本征非晶硅、重?fù)诫s非晶硅和TCO的鍍膜工作。