[發明專利]包括CZ半導體本體的半導體器件以及制造包括CZ半導體本體的半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201810941686.2
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109411344A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: H.厄夫納;H-J.舒爾策;A.蘇西蒂;T.韋本
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/322
• 分類號: H01L21/322;H01L21/331;H01L29/739;H01L29/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 秦寶龍;申屠偉進

1.一種制造半導體器件的方法，其包括：

通過熱處理來降低在CZ半導體本體的第一部分中的氧濃度，該第一部分鄰接半導體本體的第一表面；

在第一表面處處理半導體本體；

通過在與第一表面相對的第二表面處使半導體本體變薄來降低半導體本體的厚度；以及此后

由通過第二表面的質子注入和半導體本體的退火來在半導體本體中形成場停止區域，其中該場停止區域至少部分形成在CZ半導體本體的第一部分中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中該CZ半導體本體是磁性CZ、MCZ半導體本體。

3.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中將該半導體本體的厚度降低至在20μm和30μm的范圍中的目標厚度。

4.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中該熱處理包括在從1000°C至1300°C的溫度范圍中的熱處理溫度。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中實施該熱處理達從5小時至300小時的時段。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中在第一表面處處理半導體本體的過程中在任何離子注入工藝之前實施熱處理的至少一部分。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中在熱處理的至少一部分期間環境氣體是惰性的或者包括小于10%的氧水平。

8.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，進一步包括在熱處理之前將氧化層沉積在半導體本體的第一表面上。

9.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中該熱處理是半導體本體在第一表面處的處理的至少一部分。

10.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中該熱處理包括在1120°C以下的溫度處的熱氧化工藝。

11.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中將在熱處理的過程中的熱預算設置成調整在朝向第一表面的第一部分中的氧濃度在最大值到處于最大值的1%至95%的范圍中的最小值之間的下降。

12.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，進一步包括通過熱處理來降低CZ半導體本體的第一部分中的碳濃度。

13.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中該場停止區域包括在距第二表面不同垂直距離處的摻雜峰，并且其中將在場停止區域的摻雜峰之中的在具有距第二表面最大垂直距離的摻雜峰處的氧濃度設置成小于在場停止區域的摻雜峰之中的在具有距第二表面最小垂直距離的摻雜峰處的氧濃度的98%。

14.根據權利要求13所述的方法，其中將具有距第二表面最大垂直距離的摻雜峰的摻雜濃度設置在從2x10¹³ cm^-3至2x10¹⁵ cm^-3的范圍中。

15.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中該半導體器件是垂直功率半導體器件，并且該方法進一步包括形成電氣連接至半導體本體的第一表面的第一負載端子接觸件，以及形成電氣連接至半導體本體的第二表面的第二負載端子接觸件。

16.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，進一步包括在熱處理之前或期間將氫引入半導體本體中。