[發明專利]斷面傾斜角檢測裝置

有效

• 申請號: 201810941367.1
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109119355B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 陳黎暄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種斷面傾斜角檢測裝置，該裝置通過發送檢測光線并探測穿過待檢測器件后檢測光線的光強度值，進而得到斷面傾斜角在接觸面上的投影長度值，最后根據投影長度值以及材料層厚度確定斷面傾斜角的角度值；在該過程中，僅需發送檢測光線并僅需光強度值的探測以及計算即可得到斷面傾斜角的角度值，不需要對器件進行裂片和制樣等操作，解決了現有斷面傾斜角檢測技術需要裂片和制樣等操作的技術問題。

技術領域

本發明涉及半導體器件制造領域，尤其涉及一種斷面傾斜角檢測裝置。

背景技術

在TFT-LCD等半導體器件制造工藝中，往往需要采用有機材料層和無機材料層疊加出器件結構的方式，形成半導體器件。在形成某材料層之后，需要對該模型進行蝕刻等處理以得到特定圖案，若該模型的斷面傾斜角過大，將導致下一薄膜沉積時發生斷裂，若過小，又容易導致拖尾較長，導致器件精細度降低；所以各材料層的斷面傾斜角需要控制在一個合理范圍內。

而控制斷面傾斜角的前提是測量得到該斷面傾斜角，在斷面傾斜角處于合理范圍時，不調整工藝條件進行其他器件的制造，在斷面傾斜角沒有處于合理范圍時，調整工藝條件重新制造。

為了測量斷面傾斜角，現有工藝是通過對器件進行裂片、制樣等處理后得到樣本，將樣本送入顯微鏡得到截面圖，然后在截面圖中進行斷面傾斜角的標定測量。該方式需要裂片和制樣等繁雜的操作，并且裂片和制樣也將導致較大的誤差。

即現有斷面傾斜角檢測技術需要裂片和制樣等操作，將導致測量操作繁雜等技術問題。

發明內容

本發明提供一種斷面傾斜角檢測裝置，以解決現有斷面傾斜角檢測技術需要裂片和制樣操作的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種斷面傾斜角檢測裝置，其包括：

固定平臺，用于固定待檢測器件；所述待檢測器件包括第一材料層以及第二材料層，所述第二材料層與所述第一材料層通過接觸面接觸，所述第二材料層的斷面與所述接觸面形成所述第二材料層的斷面傾斜角；

信號源，用于向預設方向發送檢測光線；所述預設方向穿過所述待檢測器件的第一材料層以及第二材料層；

探測器，用于在探測點上，探測穿過所述待檢測器件后檢測光線的光強度值；

控制器，用于根據所述探測器的探測結果，確定所述斷面在所述接觸面上的投影長度值；并根據所述投影長度值以及所述第二材料層的材料層厚度，確定所述斷面傾斜角的角度值。

根據本發明一優選實施例，所述控制器用于根據所述探測結果，確定檢測光線的光強度值變化所對應的變化距離值，根據所述預設方向與所述接觸面的夾角、以及所述變化距離值，確定所述投影長度值。

根據本發明一優選實施例，所述控制器用于根據所述探測結果，繪制檢測光線的光強度值與探測點的變化曲線，根據所述變化曲線，確定所述變化距離值。

根據本發明一優選實施例，所述控制器用于確定光強度值發生變化時對應的第一探測點、以及光強度值結束變化時對應的第二探測點，并將所述第一探測點與所述第二探測點之間的距離作為所述變化距離值。

根據本發明一優選實施例，所述信號源均勻分布在所述固定平臺。

根據本發明一優選實施例，所述信號源設置在所述固定平臺的遠離所述待檢測器件的一側；所述固定平臺的材料為透光材料。

根據本發明一優選實施例，還包括步進電機，所述步進電機用于在所述控制器的控制下，帶動所述探測器移動至探測點。

根據本發明一優選實施例，所述信號源包括紫外線光源。