[發明專利]一種影像傳感芯片的封裝方法及封裝結構

有效

• 申請號: 201810940894.0
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109103208B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 王之奇
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力;王寶筠

1.一種影像傳感芯片的封裝方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多個陣列排布的功能區和位于相鄰功能區之間的切割道，所述功能區上形成有影像傳感芯片，所述影像傳感芯片包括感光區和包圍所述感光區的非感光區，所述非感光區上設置有第一焊墊；

提供透光蓋板，所述透光蓋板一側具有第一粘接膜層；

利用所述第一粘接膜層粘接所述透光蓋板與所述襯底，所述第一粘接膜層在所述襯底上的正投影覆蓋全部所述感光區和全部所述非感光區在所述襯底上的正投影；

對所述透光蓋板進行處理，以僅暴露出位于所述非感光區中的第一焊墊；

沿所述切割道對所述襯底進行切割，以獲得單顆影像傳感芯片；

提供基板，將所述基板與所述影像傳感芯片的襯底的第二表面貼合，所述基板上設置有第二焊墊；

對所述基板與所述影像傳感芯片進行電連接，將所述第一焊墊與所述第二焊墊電性連接；

進行注塑工藝形成塑封層，所述塑封層包覆所述影像傳感芯片并暴露所述透光 蓋板的頂表面；

所述利用所述第一粘接膜層粘接所述透光蓋板與所述襯底之前還包括：

形成至少覆蓋所述感光區的第二粘接膜層；

所述第二粘接膜層的折射率小于所述第一粘接膜層的折射率。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述基板與所述影像傳感芯片進行電連接，將所述第一焊墊與所述第二焊墊電性連接包括：

對所述基板與所述影像傳感芯片進行打線處理，以形成連接所述第一焊墊與所述第二焊墊的金屬線。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述感光區上設置有多個微透鏡；

所述形成至少覆蓋所述感光區的第二粘接膜層包括：

形成覆蓋所述感光區，且與所述微透鏡表面形貌一致的光學膠層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成至少覆蓋所述感光區的第二粘接膜層包括：

形成覆蓋所述感光區的光學膠層，所述光學膠層具有平整平面。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成至少覆蓋所述感光區的第二粘接膜層包括：

形成覆蓋多個所述感光區以及所述非感光區的光學膠層，所述光學膠層具有平整平面。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二粘接膜層的折射率小于或等于1.4。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二粘接膜層的折射率小于或等于1.2。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一粘接膜層的透光率大于或等于60％。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一粘接膜層的透光率大于或等于75％。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述透光蓋板進行處理，以僅暴露出位于所述非感光區中的第一焊墊包括：

對所述透光蓋板進行半切處理，以去除所述透光蓋板位于所述非感光區中的部分，并暴露出位于所述非感光區中的第一粘接膜層；

去除位于所述非感光區中的第一粘接膜層，以僅暴露出所述第一焊墊。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述至少部分去除位于所述非感光區中的第一粘接膜層，以至少部分暴露出所述第一焊墊包括：

對位于所述非感光區的第一粘接膜層進行等離子體處理或激光刻蝕處理，以至少部分暴露出所述第一焊墊。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述進行注塑工藝形成塑封層之后還包括：

在所述基板背離所述影像傳感芯片一側形成與所述第二焊墊電連接的球柵陣列封裝結構或柵格陣列封裝結構。