[發明專利]高分子基導電復合材料及過流保護元件

在審

• 申請號: 201810940846.1
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109243667A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 方勇;劉利鋒;夏坤;高道華;劉玉堂;張偉;吳國臣
• 申請（專利權）人: 上海長園維安電子線路保護有限公司
• 主分類號: H01B1/20
• 分類號: H01B1/20;H01C7/02
• 代理公司: 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙) 31298
• 代理人: 衣然

1.一種高分子基導電復合材料，其特征在于，其包含：

高分子基材，占所述高分子基導電復合材料的體積分數的20％～75％；

第一導電填料，為一種固溶體，占所述導電復合材料的體積分數的10％～80％，其粒徑為0.1μm～10μm，且體積電阻率不大于200μΩ·cm，所述導電填料分散于所述的高分子基材之中；所述的固溶體為金屬硼化物、金屬氮化物、金屬碳化物或金屬硅化物中的一種或兩種以上的組合物；

第二導電填料，為具有層狀結構的導電填料，其粒徑為0.1μm～20μm，且粒徑分布范圍為0.01μm～100μm，體積電阻率小于1×10^-3Ω·cm，占所述高分子基導電復合材料的體積分數的2％～50％，分散于所述高分子基材中；所述具有層狀結構的導電填料分子式為：M_n+1AX_n，其中，

M元素為過渡金屬元素Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta之中的一種；

A元素為IIIA族、IVA族、VA族或VIA族元素Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl、Pb之中的一種；

X元素為碳或氮元素；1≤n≤3且為整數。

2.根據權利要求1所述的高分子基導電復合材料，其特征在于，所述高分子基材為：聚乙烯、氯化聚乙烯、氧化聚乙烯、聚氯乙烯、丁二烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚甲醛、酚醛樹脂、聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚三氟乙烯、聚氟乙烯、馬來酸酐接枝聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、環氧樹脂、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-丙烯酸共聚物中的一種或兩種以上的混合物。

3.根據權利要求1所述的高分子基導電復合材料，其特征在于，所述金屬硼化物為硼化鉭、二硼化鉭、硼化釩、二硼化釩、二硼化鋯、二硼化鈦、硼化鈮、二硼化鈮、硼化二鉬、五硼化二鉬、二硼化鉿、硼化二鎢、硼化鎢、硼化二鉻、硼化鉻、二硼化鉻或三硼化五鉻之中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的高分子基導電復合材料，其特征在于，所述金屬氮化物為氮化鉭、氮化釩、氮化鋯、氮化鈦、氮化鈮或氮化鉿中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的高分子基導電復合材料，所述碳化物為碳化鉭、碳化釩、碳化鋯、碳化鈦、碳化鈮、碳化二鉬、碳化鉿、碳化鎢、碳化二鎢或二碳化三鉻之中的一種。

6.根據權利要求1所述的高分子基導電復合材料，其特征在于，所述金屬硅化物為二硅化鉭、三硅化五鉭、硅化三釩、二硅化釩、二硅化鋯、二硅化鈦、三硅化五鈦、二硅化鈮、二硅化鉬、二硅化鉿、二硅化鎢、硅化三鉻或二硅化鉻之中的至少一種。