[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810940704.5
• 申請日: 2018-08-17
• 公開（公告）號: CN109103307A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊鴻志;林小坤;黃建燃;樊本杰;陳和謙;呂瞻旸;鄧順達(dá);謝政璋
• 申請（專利權(quán)）人: 開發(fā)晶照明（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446
• 代理人: 劉小娟;武玉琴

1.一種發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板，所述基板具有一表面，所述表面具有多個(gè)凸出部分以及相對于多個(gè)所述凸出部分內(nèi)凹的多個(gè)凹陷部分；

形成一外延遮罩層于所述基板上，其中，所述外延遮罩層覆蓋多個(gè)所述凹陷部分，而裸露多個(gè)所述凸出部分；以及

形成一外延發(fā)光結(jié)構(gòu)于所述基板上，其中，所述凸出部分做為所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的成長面。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，每一個(gè)所述凹陷部分定義出一空間，所述外延遮罩層填滿每一個(gè)所述空間并具有一非成長面，且所述非成長面與所述成長面切齊。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的步驟之后，至少一孔洞形成于所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述非成長面之間。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述外延遮罩層具有一非成長面，所述非成長面為曲面，且在形成所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的步驟之后，所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分底面與所述非成長面分離而定義出多個(gè)空孔。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述外延遮罩層的折射系數(shù)低于所述基板的折射系數(shù)。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，形成所述外延遮罩層的步驟還進(jìn)一步包括:

形成一介電材料層于所述基板上，其中，所述介電材料層完全覆蓋所述表面；以及

去除覆蓋所述凸出部分的部分介電材料層，并保留覆蓋多個(gè)所述凹陷部分的另一部分介電材料層，而形成所述外延遮罩層。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，在所述基板的一剖面中，每兩相鄰的所述凸出部分彼此分隔一水平距離，所述水平距離與每一所述凸出部分的寬度之間的比值范圍是由1至20。

8.一種發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光元件包括：

一基板，其具有一表面，所述表面具有多個(gè)凸出部分以及相對于多個(gè)所述凸出部分的多個(gè)凹陷部分：

一外延遮罩層，其位于所述基板上，其中，所述外延遮罩層覆蓋多個(gè)所述凹陷部分，而未覆蓋多個(gè)所述凸出部分；以及

一外延發(fā)光結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于所述基板上，其中，所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)連接于多個(gè)所述凸出部分，并跨過多個(gè)所述凹陷部分。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其特征在于，多個(gè)所述凸出部分作為所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的一成長面，每一個(gè)所述凹陷部分定義出一空間，所述外延遮罩層填滿每一所述空間并具有一非成長面，且所述非成長面與所述成長面切齊。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件，其特征在于，至少一空孔存在于所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的底面與所述非成長面之間。

11.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述外延遮罩層具有一非成長面，所述非成長面為曲面，且所述外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的一部分底面與所述非成長面分離而定義出多個(gè)空孔。

12.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述外延遮罩層的折射系數(shù)低于所述基板的折射系數(shù)。

13.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，其特征在于，在所述基板的一剖面中，每兩相鄰的所述凸出部分彼此分隔一水平距離，所述水平距離與每一所述凸出部分的寬度之間的比值范圍是由1至20。