[發明專利]檢查方法在審
| 申請號： | 201810940702.6 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN109979839A | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 方上維;王敬森;張元耀;林偉睿;謝定華;李沛軒;黃郁琁 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測試結構 目標特征 檢查 灰階 電子束 半導體晶圓 工藝檢查 偏移距離 樣本特征 影像分析 影像執行 重疊誤差 逐漸增加 影像 施加 | ||
【權利要求書】：
1.一種檢查方法，適用于半導體制造過程中，該檢查方法包括：
沿著兩個相反方向，形成多個測試結構在一半導體晶圓上，其中所述多個測試結構中的每一個包括一目標特征以及形成在該目標特征上方的一樣本特征，其中在每一測試結構中，該樣本特征以及該目標特征間具有一偏移距離，沿著該兩個相反方向，所述多個測試結構中的多個所述偏移距離逐漸增加；
通過施加一電子束在所述多個測試結構上，以產生所述多個測試結構的一影像；
對該影像執行一影像分析，以識別一現在中央位置，該現在中央位置呈一最小的灰階值或一最大的灰階值；以及
根據該現在中央位置計算一重疊誤差。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810940702.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
