[發(fā)明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810939779.1
• 申請(qǐng)日: 2018-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN109411322B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸兒;永關(guān)一也;檜森慎司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種在等離子體處理裝置中執(zhí)行的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述等離子體處理裝置包括：

形成有腔室的腔室主體；

設(shè)置在所述腔室主體內(nèi)的、包括下部電極的工作臺(tái)，該工作臺(tái)以能夠支承載置在其上的基片的方式設(shè)置；

供給高頻的高頻電源，所述高頻用于激勵(lì)被供給到所述腔室的氣體；和

產(chǎn)生直流電壓的一個(gè)以上的直流電源，所述直流電壓具有負(fù)極性并用于被施加至所述下部電極，

所述等離子體蝕刻方法包括：

從所述高頻電源供給高頻以生成被供給至所述腔室的氣體的等離子體的步驟；和

從所述一個(gè)以上的直流電源對(duì)所述下部電極施加具有負(fù)極性的直流電壓以將所述等離子體中的離子引入到所述基片的步驟，

在施加直流電壓的所述步驟中，所述直流電壓被周期性地施加至所述下部電極，并且，在各個(gè)周期內(nèi)施加所述直流電壓的第一期間的時(shí)間長(zhǎng)度和該第一期間中的所述等離子體的電位相乘所得的值，與停止施加所述直流電壓的第二期間的時(shí)間長(zhǎng)度和該第二期間中的所述等離子體的電位相乘所得的值之比保持不變的狀態(tài)下，在各個(gè)周期內(nèi)所述第一期間所占的比率設(shè)定為40％以下。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述比率設(shè)定為35％以下。

3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于，

所述等離子體處理裝置中，作為所述一個(gè)以上的直流電源包括多個(gè)直流電源，

在各個(gè)周期內(nèi)，施加至所述下部電極的所述直流電壓由從所述多個(gè)直流電源依次輸出的多個(gè)直流電壓形成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

在施加所述直流電壓的所述第一期間中供給所述高頻，在停止所述直流電壓的施加的所述第二期間中停止所述高頻的供給。

5.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

在施加所述直流電壓的所述第一期間中停止所述高頻的供給，在停止所述直流電壓的施加的所述第二期間中供給所述高頻。

6.一種等離子體蝕刻裝置，其特征在于，包括：

形成有腔室的腔室主體；

設(shè)置在所述腔室主體內(nèi)的、包括下部電極的工作臺(tái)，該工作臺(tái)以能夠支承載置在其上的基片的方式設(shè)置；

供給高頻的高頻電源，所述高頻用于激勵(lì)被供給到所述腔室的氣體；

產(chǎn)生直流電壓的一個(gè)以上的直流電源，所述直流電壓具有負(fù)極性并用于被施加至所述下部電極；

切換機(jī)構(gòu)，其能夠使所述直流電壓向所述下部電極的施加停止；和

控制所述切換機(jī)構(gòu)的控制器，其中，

所述控制器在蝕刻所述基片時(shí)控制所述切換機(jī)構(gòu)，以使得來(lái)自所述一個(gè)以上的直流電源的負(fù)極性的直流電壓周期性地施加至所述下部電極，以將在所述腔室內(nèi)生成的氣體的等離子體中的離子引入到所述基片，并且，在各個(gè)周期內(nèi)施加所述直流電壓的第一期間的時(shí)間長(zhǎng)度和該第一期間中的所述等離子體的電位相乘所得的值，與停止施加所述直流電壓的第二期間的時(shí)間長(zhǎng)度和該第二期間中的所述等離子體的電位相乘所得的值之比保持不變的狀態(tài)下，使得在各個(gè)周期內(nèi)所述第一期間所占的比率設(shè)定為40％以下。

7.如權(quán)利要求6所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

所述控制器以使所述比率設(shè)定為35％以下的方式控制所述切換機(jī)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求6或7所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

作為所述一個(gè)以上的直流電源包括多個(gè)直流電源，

所述控制器控制所述切換機(jī)構(gòu)，使得在各個(gè)周期內(nèi)，施加至所述下部電極的所述直流電壓由從所述多個(gè)直流電源依次輸出的多個(gè)直流電壓形成。

9.如權(quán)利要求6或7所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

所述控制器控制所述高頻電源，使得在施加所述直流電壓的所述第一期間中供給所述高頻，在停止所述直流電壓的施加的所述第二期間中停止所述高頻的供給。

10.如權(quán)利要求6或7所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

所述控制器控制所述高頻電源，使得在施加所述直流電壓的所述第一期間中停止所述高頻的供給，在停止所述直流電壓的施加的所述第二期間中供給所述高頻。