[發(fā)明專利]LDO穩(wěn)壓器及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810939427.6
• 申請日: 2015-02-04
• 公開（公告）號: CN108964451B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·盧夫
• 申請（專利權(quán)）人: 英特賽爾美國有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;錢慰民

本發(fā)明公開LDO穩(wěn)壓器及其操作方法。舉例來說，本發(fā)明公開操作自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器的方法，其包括：第一放大器接收與所述自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器的輸出電壓相關(guān)聯(lián)的反饋電壓；所述第一放大器將所述反饋電壓與參考電壓進行比較，并響應(yīng)于所述比較而產(chǎn)生第一電壓；響應(yīng)于所述第一電壓，第一跨導(dǎo)放大器產(chǎn)生第一輸出電流，且第二跨導(dǎo)放大器產(chǎn)生第二輸出電流；響應(yīng)于所述第二輸出電流，產(chǎn)生用于所述第一放大器的偏置電流；以及響應(yīng)于所述第一輸出電流，產(chǎn)生所述自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器的輸出電流。

本申請是申請日為“2015年2月4日”、申請?zhí)枮椤?01510057249.0”、題為“用于低壓差(LDO)穩(wěn)壓器中增強型瞬態(tài)響應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”的分案申請。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請涉及2014年2月5日提交的標(biāo)題為“用于低壓差(LDO)穩(wěn)壓器中增強型瞬態(tài)響應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR ENHANCED TRANSIENT RESPONSE INLOW DROPOUT(LDO)VOLTAGE REGULATORS)”并以引用的方式并入本文的美國臨時專利申請序列號61/936,111。本申請還涉及2014年2月28日提交的標(biāo)題為“用于低壓差(LDO)穩(wěn)壓器中增強型瞬態(tài)響應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR ENHANCED TRANSIENTRESPONSE IN LOW DROPOUT(LDO)VOLTAGE REGULATORS)”并以引用的方式并入本文的美國臨時專利申請序列號61/946,268。本申請在此要求美國臨時專利申請序列號61/936,111和61/946,268的權(quán)益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及低壓差(LDO)穩(wěn)壓器，并且具體來說涉及利用半導(dǎo)體集成電路、晶片、芯片或裸片中的增強型瞬態(tài)響應(yīng)的自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器。

背景技術(shù)

在使用“超級電流鏡”設(shè)計的常規(guī)LDO穩(wěn)壓器中，調(diào)節(jié)器對瞬態(tài)的響應(yīng)速度受它們的自適應(yīng)偏置回路上升到適當(dāng)?shù)牟僮鼽c所花費的時間限制。然而，這些LDO穩(wěn)壓器采用來自它們的導(dǎo)通晶體管的柵極的自適應(yīng)偏置反饋，并且因此它們的自適應(yīng)偏置反饋回路的寬度受它們的導(dǎo)通裝置的大柵極電容限制。因此，這些LDO穩(wěn)壓器的瞬態(tài)誘發(fā)的輸出電壓跌落相當(dāng)大。

發(fā)明內(nèi)容

一個實施方案是針對一種用于LDO穩(wěn)壓器中增強型瞬態(tài)響應(yīng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是包括形成于半導(dǎo)體集成電路、晶片、芯片或裸片上的自適應(yīng)偏置輸入級的LDO穩(wěn)壓器。自適應(yīng)偏置信號是從輸入級(例如，第一增益級)的輸出耦合到所述級的輸入的反饋信號。因此，所得自適應(yīng)偏置反饋回路的瞬態(tài)響應(yīng)明顯快于LDO穩(wěn)壓器的主反饋回路的瞬態(tài)響應(yīng)。更確切地說，到LDO穩(wěn)壓器的輸出級的驅(qū)動電流以明顯高于輸出電流的速率的速率增加，以便給導(dǎo)通晶體管裝置的柵極電容充電。因此，自適應(yīng)偏置LDO穩(wěn)壓器的負載瞬態(tài)誘發(fā)的輸出電壓跌落明顯小于常規(guī)LDO穩(wěn)壓器的輸出電壓跌落(例如，如果使用相對較小的輸出電容器)。

附圖說明

應(yīng)理解，附圖僅描繪示例性實施方案且因而在范圍上不視為具有限定性，通過使用附圖，將另外以額外的專一性和細節(jié)對所述示例性實施方案進行描述。

圖1是電子電路的示意性框圖，所述電子電路可用于實施本發(fā)明的一個示例性實施方案。

圖2是第二電子電路的示意性框圖，所述第二電子電路可用于實施本發(fā)明的第二示例性實施方案。

圖3是第三電子電路的示意性框圖，所述第三電子電路可用于實施本發(fā)明的第三示例性實施方案。

圖4是第四電子電路的示意性框圖，所述第四電子電路可用于實施本發(fā)明的第四示例性實施方案。

圖5是示例性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的示意性電路圖，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可用于實施圖2中描繪的電子電路或圖4中描繪的電子電路。