[發明專利]場效應晶體管、顯示元件、圖像顯示裝置、和系統

有效

• 申請號: 201810939209.2
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN108807427B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 曾根雄司;植田尚之;中村有希;高田美樹子;松本真二;早乙女遼一;新江定憲;安部由希子
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 宋莉;肖靖泉

1.場效應晶體管，其包括：

基底；

保護層；

柵絕緣層；和

半導體層，其在所述基底和所述保護層之間形成，

其中所述保護層包含金屬氧化物復合物，所述金屬氧化物復合物至少包含Si和切斷Si-O鍵的堿土金屬，并且

其中基于氧化物換算的在金屬氧化物復合物中的Si的比率為50.0摩爾％-95.0摩爾％，

其中基于氧化物換算的在金屬氧化物復合物中的堿土金屬的比率為10.0摩爾％-30.0摩爾％，并且

其中所述半導體層包括選自In-Ga-Zn-O、I-Z-O和In-Mg-O的氧化物半導體。

2.根據權利要求1的場效應晶體管，其中所述金屬氧化物復合物進一步包含Al、B、或Al和B的組合。

3.根據權利要求2的場效應晶體管，其中基于氧化物換算的在金屬氧化物復合物中的Al和B的總和的比率為1.0摩爾％-50.0摩爾％。

4.根據權利要求3的場效應晶體管，其中基于氧化物換算的在金屬氧化物復合物中的Al和B的總和的比率為5.0摩爾％-30.0摩爾％。

5.根據權利要求1的場效應晶體管，其中基于氧化物換算的在金屬氧化物復合物中的堿土金屬的比率為5.0摩爾％-20.0摩爾％。

6.根據權利要求1-5中任一項的場效應晶體管，其中所述堿土金屬包含Mg、Ca、Sr、或Ba、或者它們的任意組合。

7.根據權利要求1-5中任一項的場效應晶體管，其中所述保護層包含金屬氧化物復合物，所述金屬氧化物復合物至少包含Si、Al、B和Sr，且Sr具有切斷Si-O鍵、Al-O鍵和B-O鍵的功能，并且

其中基于氧化物換算的在金屬氧化物復合物中的Sr的比率為5.0摩爾％-20.0摩爾％。

8.根據權利要求7的場效應晶體管，其中所述金屬氧化物復合物進一步包含Mg、Ca、Ba、或者它們的任意組合。

9.根據權利要求1-5中任一項的場效應晶體管，其中所述氧化物半導體包括In₂MgO₄。

10.顯示元件，其包括：

配置成對應于驅動信號控制光學輸出的光學控制元件；和

包含根據權利要求1-9中任一項的場效應晶體管且配置成驅動所述光學控制元件的驅動電路。

11.根據權利要求10的顯示元件，其中所述光學控制元件包含電致發光元件、電致變色元件、液晶元件、電泳元件、或電潤濕元件。

12.圖像顯示裝置，其對應于圖像數據顯示圖像，所述圖像顯示裝置包括：

以矩陣排列的多個各自根據權利要求10或11任一項的顯示元件；

多條配置成向各顯示元件中的各場效應晶體管獨立地施加柵電壓的線路；和

配置成對應于所述圖像數據通過所述線路單獨地控制各場效應晶體管的柵電壓的顯示控制裝置。

13.系統，其包括：

根據權利要求12的圖像顯示裝置；和

圖像數據形成裝置，其配置成基于待顯示的圖像信息形成圖像數據、和將所述圖像數據輸出到所述圖像顯示裝置。

14.用于形成根據權利要求1-9中任一項的場效應晶體管中的保護層的涂覆液，其包含：

含硅的化合物，和

含堿土金屬的化合物。

15.根據權利要求14的涂覆液，其進一步包含：

溶劑。

16.根據權利要求14或15的涂覆液，其進一步包含：

含鋁的化合物、或含硼的化合物、或這兩者。