[發(fā)明專利]改善電容器制作中電弧放電缺陷的方法和電容器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810938609.1 | 申請日： | 2018-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN109065521A | 公開（公告）日： | 2018-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王曉云;杜正寬;范宇平 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽信息工程學(xué)院 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 張苗 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 上表面 光刻對位標記 電弧放電 電容器 金屬層 填充層 光刻對準標記 金屬間介質(zhì)層 半導(dǎo)體基底 下電極板 導(dǎo)電層 通孔 電極板 包覆 填滿 制作 平坦 | ||
1.一種改善電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，該方法包括：
步驟1，在半導(dǎo)體基底(1)上設(shè)置有金屬間介質(zhì)層(2)，在所述金屬間介質(zhì)層(2)的上表面設(shè)置有通孔和光刻對準標記溝槽，并在通孔的上表面和光刻對準標記等溝槽的上表面預(yù)填有導(dǎo)電層(4)；
步驟2，將下電極板金屬層包覆于半導(dǎo)體基底(1)的上表面和導(dǎo)電層(4)的上表面，并在所述下電極板金屬層的上表面形成光刻對位標記填充層(6)，所述光刻對位標記填充層(6)能夠充分填滿光刻對位標記溝槽；
步驟3，平坦化除光刻對位標記溝槽之外的光刻對位標記填充層(6)直至下電極板金屬層的頂部；
步驟4，在所述下電極板金屬層的上表面和光刻對位標記填充層(6)的上表面形成介質(zhì)層(7)，在所述介質(zhì)層(7)的上表面形成有上電極板金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，該方法包括：
在所述金屬層間介質(zhì)層(7)的上表面沉積下電極板金屬層，且所述下電極板金屬層為三層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，將半導(dǎo)體基底(1)和下電極板金屬層都設(shè)置為互連金屬層結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善電容器制作中電弧放電缺陷的方法，其特征在于，在步驟1中，在所述金屬間介質(zhì)層(2)的上表面設(shè)置有保護環(huán)溝槽、光刻對位標記溝槽和切割道內(nèi)標識溝槽。
5.一種MIM電容器，其特征在于，所述電容器包括：半導(dǎo)體基底(1)、金屬介質(zhì)層(7)、導(dǎo)電層(4)、下極板金屬層(5)、光刻對位標記填充層(6)、介質(zhì)層(7)和上極板金屬層(8)；其中，所述金屬介質(zhì)層(7)設(shè)置于所述半導(dǎo)體基底(1)的上表面，且所述金屬介質(zhì)層(7)上形成有溝槽，所述導(dǎo)電層(4)設(shè)置于所述溝槽中，且所述光刻對位標記填充層(6)設(shè)置于所述導(dǎo)電層(4)的上表面并填充所述溝槽，所述下極板金屬層(5)覆蓋于所述金屬介質(zhì)層(7)的上表面和所述光刻對位標記填充層(6)的上表面，所述介質(zhì)層(7)覆蓋于所述下極板金屬層(5)的上表面，所述上極板金屬層(8)覆蓋于所述介質(zhì)層(7)的上表面。
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